Infineon Technologies CoolSiC™ 750V G2シリコンカーバイドMOSFET

Infineon Technologies CoolSiC™ 750V G2 シリコンカーバイドMOSFETは、寄生ターンオン効果に対する最高レベルの耐性と堅牢性、ユニポーラゲート駆動への対応、高信頼性を提供するように設計されています。これらのMOSFETは、トーテムポール、ANPC、ウィーン整流器、FCCなどのハードスイッチングトポロジで優れた性能を実現します。 さらに、出力容量 (Coss) が大幅に削減されたことにより、サイクロコンバータ、CLLC、DAB、LLCなどのソフトスイッチングトポロジにおいてMOSFETを高いスイッチング周波数で動作できるようになりました。CoolSiC™ 750V G2 MOSFETは、最大ドレイン・ソース間オン抵抗78mΩ、ゲート制御の改善による低スイッチング損失が特長です。これらのMOSFETは、車載および産業認定を受けています。代表的なアプリケーションには、EV充電インフラ、テレコム、サーキットブレーカ、ソリッドステートリレー、太陽光PVインバータ、HV-LV DC/DCコンバータなどがあります。