Infineon Technologies 950V CoolMOS™ PFD7 SJ MOSFET
Infineon Technologies 950V CoolMOS™ PFD7 SJ MOSFETには、スーパー・ジャンクション（SJ）技術が採用されています。SJ技術は、最先端の使いやすさが備わったベストインクラスの性能が組み込まれているため、照明および工業SMPSアプリケーションに最適です。PFDJは、最低レベルの逆回復電荷（Qrr）が備わった共振トポロジでの使用が可能になる統合超高速ボディダイオードです。
Infineon 950V CoolMOS PFD7 SJ MOSFETには、優れたハード整流堅牢性があり、共振トポロジでの使用が可能です。このデバイスは、バス電圧が増加した設計で、さらなる安全マージンを提供します。
特徴
- 統合超高速ボディダイオード
- ベストインクラスの逆回復電荷Qrr
- ベストインクラスのFOM RDS(on) Eoss、QGの低減、Ciss、Coss
- 3VのベストインクラスのV（GS）thおよび±0.5Vの最小V（GS）thバリエーション
- 統合高速ボディダイオード
- ベストインクラスのCoolMOS™の品質と信頼性
- 完全に最適化されたポートフォリオ
- THDおよびSMDパッケージでのベストインクラスのRDS(on)
- ESD保護最小Class 2（HBM）
アプリケーション
- ハードおよびソフト・スイッチング・トポロジに最適
- LLCおよびZVSトポロジでの使用向けに最適化
- 照明および工業SMPSでのPFCおよびLLCアプリケーション
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| 部品番号 | データシート | 取り付け様式 | パッケージ/ケース | Id - 連続ドレイン電流 | Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース |
|---|---|---|---|---|---|
| IPB95R310PFD7ATMA1 |  |
SMD/SMT | D2PAK-3 (TO-263-3) | 17.5 A | 310 mOhms |
| IPD95R450PFD7ATMA1 | |
SMD/SMT | DPAK-3 (TO-252-3) | 13.3 A | 450 mOhms |
| IPB95R130PFD7ATMA1 | |
SMD/SMT | TO-263-3 | 36.5 A | 130 mOhms |
| IPW95R060PFD7XKSA1 | |
Through Hole | TO-247-3 | 74.7 A | 60 mOhms |
| IPA95R130PFD7XKSA1 | |
Through Hole | TO-220FP-3 | 13.9 A | 130 mOhms |
| IPA95R450PFD7XKSA1 | |
Through Hole | TO-220FP-3 | 7.2 A | 450 mOhms |
| IPA95R310PFD7XKSA1 | |
Through Hole | TO-220FP-3 | 8.7 A | 310 mOhms |
| IPW95R130PFD7XKSA1 | |
Through Hole | TO-247-3 | 36.5 A | 130 mOhms |
| IPW95R310PFD7XKSA1 | |
Through Hole | TO-247-3 | 17.5 A | 310 mOhms |
| IPB95R450PFD7ATMA1 | |
SMD/SMT | D2PAK-3 (TO-263-3) | 13.3 A | 450 mOhms |
公開: 2022-10-11
| 更新済み: 2022-11-15