Infineon Technologies CoolGaN™ 650V G5 双方向スイッチ (BDS)
Infineon Technologies CoolGaN™ 650V G5 双方向スイッチ (BDS) は、窒化ガリウム (GaN) トランジスタ技術に基づく革新的なソリューションです。これらのスイッチは、電圧を両方向に効率的にブロックできるため、さまざまなアプリケーションで汎用性の高いオプションがあるスイッチとして機能するのに最適です。 CoolGaN™ BDSは、独自の技術によって基板電圧制御回路を単一のチップに内蔵しています。 これらのInfineonのスイッチは、電力要求の厳しい産業用アプリケーション向けに最高レベルの電力密度を実現するために設計されています。 主なアプリケーションは、太陽光発電のμインバータにおけるサイクロコンバータ、産業用/サーバーSMPSおよびUPSにおけるウィーン整流器、T型PFC、モータードライブにおけるインバータなどです。特徴
- 650V CoolGaN™技術(850Vサージ耐性あり)
- 優れた堅牢ゲート注入トランジスタ(GIT)構造
- 独立した双方向機能を実現するデュアルゲート
- 動作周波数全体にわたるRSS(on)の優れた性能
- 高信頼性のTCoB(オンボード温度サイクル)性能
- ソフトスイッチング動作用に最適化済
- 2kV HBM ESD規格
- バックツーバック単方向製品の効果的な交換
- システム効率性と電力密度を向上
- より高いスイッチング周波数を実現
- システムコストの削減
- 革新的なシングル段絶縁トポロジを実現
- JEDEC JESD47、JESD22、J-STD-020に準拠した産業用アプリケーションに認定済み
- PG-HDSOP-16パッケージ
- リードフリー、ハロゲンフリー、RoHS準拠
アプリケーション
- ソーラーμインバータのサイクロコンバータ
- 産業用/サーバー用SMPSおよびUPSのウィーン型整流器
- T型PFC、およびモータ駆動のインバータ
- ストリングソーラーインバータのHERICインバータ
- エネルギー貯蔵システム(ESS)
- 電気自動車(EV)充電
回路図
公開: 2025-05-14
| 更新済み: 2025-11-03
