Infineon Technologies CoolGaN™650V G5 トランジスタ

Infineon Technologies CoolGaN™ 650V G5トランジスタは、電力変換用の高効率窒化ガリウム(GaN)トランジスタ技術を特徴としています。650V G5 ファミリは、消費者、データセンター、産業、および太陽電池アプリケーションの課題に対応します。このトランジスタは、超高速スイッチング機能により、システム効率と電力密度を改善します。CoolGaNテクノロジーは、システム全体の性能を高めるように設計されたディスクリートおよび統合ソリューションを提供します。Infineon Technologies CoolGaN650VG5トランジスタは、高い動作周波数を可能にし、EMI定格を低減します。このトランジスタは、配電、スイッチモード電源(SMPS)、電気通信、その他の産業用アプリケーションに最適です。

特徴

  • 650V GaN トランジスタ
  • 高性能8" 社内鋳造プロセス
  • 拡張モード(eモード)
  • 統合電力段
  • 超高速スイッチング速度
  • 逆回復電荷なし
  • 逆導通能力
  • 低ゲート・低出力電荷
  • 優れた整流耐久性
  • 常時オフのトランジスタ技術により安全な動作を実現
  • 迅速かつ正確な電力供給制御が可能
  • システムの効率性と信頼性を向上
  • 厳しい条件下でも堅牢な性能を確保
  • ESD JEDEC規格
  • 2kV HBM ESD保護
  • リードフリー、ハロゲンフリー、RoHS準拠

アプリケーション

  • 家電製品
  • データセンター
  • 産業
  • USB-Cアダプター/充電器
  • 配電
  • サーバー
  • 電気通信
  • 太陽光発電/蓄電システム
  • SMPS

アプリケーション回路図

アプリケーション回路図 - Infineon Technologies CoolGaN™650V G5 トランジスタ

インフォグラフィック

インフォグラフィック - Infineon Technologies CoolGaN™650V G5 トランジスタ
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部品番号 データシート Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Qg - ゲート電荷
IGI65D1414A3MSXUMA1 IGI65D1414A3MSXUMA1 データシート 170 mOhms 1.8 nC
IGL65R055D2XUMA1 IGL65R055D2XUMA1 データシート 22 A 70 mOhms 4.7 nC
IGL65R080D2XUMA1 IGL65R080D2XUMA1 データシート 18 A 100 mOhms 25 nC
IGL65R110D2XUMA1 IGL65R110D2XUMA1 データシート 16 A 140 mOhms 2.4 nC
IGL65R140D2XUMA1 IGL65R140D2XUMA1 データシート 13 A 170 mOhms 1.8 nC
IGLD65R055D2AUMA1 IGLD65R055D2AUMA1 データシート 20 A 70 mOhms 4.7 nC
IGLD65R080D2AUMA1 IGLD65R080D2AUMA1 データシート 18 A 100 mOhms 3.3 nC
IGLD65R110D2AUMA1 IGLD65R110D2AUMA1 データシート 20 A 140 mOhms 2.4 nC
IGLD65R140D2AUMA1 IGLD65R140D2AUMA1 データシート 12 A 170 mOhms 1.8 nC
IGT65R025D2ATMA1 IGT65R025D2ATMA1 データシート 70 A 30 mOhms 11 nC
公開: 2024-08-02 | 更新済み: 2025-09-26