Infineon Technologies CoolGaN™650V G5 トランジスタ
Infineon Technologies CoolGaN™ 650V G5トランジスタは、電力変換用の高効率窒化ガリウム(GaN)トランジスタ技術を特徴としています。650V G5 ファミリは、消費者、データセンター、産業、および太陽電池アプリケーションの課題に対応します。このトランジスタは、超高速スイッチング機能により、システム効率と電力密度を改善します。CoolGaNテクノロジーは、システム全体の性能を高めるように設計されたディスクリートおよび統合ソリューションを提供します。Infineon Technologies CoolGaN650VG5トランジスタは、高い動作周波数を可能にし、EMI定格を低減します。このトランジスタは、配電、スイッチモード電源(SMPS)、電気通信、その他の産業用アプリケーションに最適です。特徴
- 650V GaN トランジスタ
- 高性能8" 社内鋳造プロセス
- 拡張モード(eモード)
- 統合電力段
- 超高速スイッチング速度
- 逆回復電荷なし
- 逆導通能力
- 低ゲート・低出力電荷
- 優れた整流耐久性
- 常時オフのトランジスタ技術により安全な動作を実現
- 迅速かつ正確な電力供給制御が可能
- システムの効率性と信頼性を向上
- 厳しい条件下でも堅牢な性能を確保
- ESD JEDEC規格
- 2kV HBM ESD保護
- リードフリー、ハロゲンフリー、RoHS準拠
アプリケーション
- 家電製品
- データセンター
- 産業
- USB-Cアダプター/充電器
- 配電
- サーバー
- 電気通信
- 太陽光発電/蓄電システム
- SMPS
アプリケーション回路図
インフォグラフィック
View Results ( 14 ) Page
| 部品番号 | データシート | Id - 連続ドレイン電流 | Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース | Qg - ゲート電荷 |
|---|---|---|---|---|
| IGI65D1414A3MSXUMA1 | ![]() |
170 mOhms | 1.8 nC | |
| IGL65R055D2XUMA1 | ![]() |
22 A | 70 mOhms | 4.7 nC |
| IGL65R080D2XUMA1 | ![]() |
18 A | 100 mOhms | 25 nC |
| IGL65R110D2XUMA1 | ![]() |
16 A | 140 mOhms | 2.4 nC |
| IGL65R140D2XUMA1 | ![]() |
13 A | 170 mOhms | 1.8 nC |
| IGLD65R055D2AUMA1 | ![]() |
20 A | 70 mOhms | 4.7 nC |
| IGLD65R080D2AUMA1 | ![]() |
18 A | 100 mOhms | 3.3 nC |
| IGLD65R110D2AUMA1 | ![]() |
20 A | 140 mOhms | 2.4 nC |
| IGLD65R140D2AUMA1 | ![]() |
12 A | 170 mOhms | 1.8 nC |
| IGT65R025D2ATMA1 | ![]() |
70 A | 30 mOhms | 11 nC |
公開: 2024-08-02
| 更新済み: 2025-09-26

