Infineon Technologies CoolMOS™ CM8 650VパワーMOSFET
Infineon Technologies CoolMOS™ CM8 650VパワーMOSFETは、スーパージャンクション（SJ）原理に従って設計されており、スイッチング損失と導通損失が低く抑えられています。これらのMOSFETは、デバイスの整流耐久性のおかげで、ハードおよびソフトスイッチングトポロジに適しています。CoolMOS™ CM8 650V MOSFETは、低リンギング傾向、PFCおよびPWMステージ全体での使用により、迅速なデザインインを実現しています。これらのMOSFETは、高度なダイ取付技術によって簡素化された熱管理を可能にします。CoolMOS™ CM8 650V MOSFETは、RoHS準拠で、産業用アプリケーションを対象としたJEDEC規格に準じた完全認定を取得しています。代表的なアプリケーションには、LLC共振コンバータ、AIサーバ、テレコム電源、データセンターがあります。
特徴
- 650V SJ MOSFET性能
- ハードおよびソフトスイッチングトポロジに最適
- 統合高速ボディダイオードとESD保護
- 。熱性能の向上を実現するXT相互接続技術
- 高度ダイアタッチ技術を採用し熱管理の簡素化を実現
- 低リンギング傾向とPFCおよびPWMステージ全体での使用により、迅速なデザインインを実現
- さらなる小型フットプリントで実現できる電力密度ソリューションの増大
- RoHS準拠
- 産業用アプリケーションを対象としたJEDEC規格に準じた完全認定
アプリケーション
- 電源とコンバータ
- PFC段とLLC共振コンバータ
- データセンター
- AIサーバー
- テレコム電源
公開: 2025-04-25
| 更新済み: 2025-06-03