Infineon Technologies 600V CoolMOS™ SJ S7/S7T パワーMOSFET

Infineon Technologies 600V CoolMOS™ SJ S7/S7T パワーMOSFETは、低周波スイッチングアプリケーションに理想的な価格性能を提供します。CoolMOS S7およびS7Tシリーズは、HV SJ MOSFETとしては低いRDS(on) 値を特徴としており、エネルギー効率が向上しています。Infineon CoolMOS S7およびS7T MOSFETは、スタティックスイッチングおよび大電流アプリケーション向けに最適化されています。これらのMOSFETは、TOリードレス(TOLL)パッケージ、またはQ-DPAKパッケージ(上面冷却型、下面冷却型から選択)で提供されます。CoolMOS SJ S7 MOSFETは、スイッチング損失が重要でないアプリケーションをターゲットとしています。CoolMOS SJ S7Tデバイスは、ジャンクション温度の検出精度を向上させる温度センサを内蔵しています。このデバイスは、ソリッドステートサーキットブレーカやソリッドステートリレー(SSR)アプリケーションなどのソリッドステートソリューションに最適です。

特徴

  • 小型フットプリントで22mΩ RDS(on) を実現
  • 低周波スイッチングアプリケーションでの最適化された価格性能
  • 大パルス電流能力
  • ケルビンソースピンで高電流におけるスイッチング性能を向上
  • 導通損失を最小限に抑える(ヒートシンクの排除/低減)
  • システム性能の向上
  • 小型でシンプルな設計
  • 長い耐用期間を通して低BOMコストおよび/または低TCOコスト
  • さらなる高速スイッチング時間
  • 高い信頼性とシステムの相当に長い寿命を保証
  • 衝撃や振動に抵抗
  • 製品寿命にわたって接点アーク、バウンシング、または(オン抵抗の)劣化が起きない
  • 内蔵温度センサ(S7Tのみ)

アプリケーション

  • ソリッドステートリレーとソリッドステート回路遮断器
  • コンピューティング
  • 電気通信機器
  • 無停電電源装置(UPS)
  • ソーラー

ビデオ

公開: 2020-01-17 | 更新済み: 2025-10-30