Infineon Technologies EasyDUAL™1BIGBT モジュール

インフィニオン・テクノロジー EasyDUAL™ 1B IGBTモジュールには、CoolSiC™ MOSFETが搭載されており、非常に低い浮遊インダクタンスと際立った効率性が備わっており、さらなる高周波数、電力密度の向上、冷却要件の削減を実現できます。1200V、8mΩ ハーフブリッジモジュールは、統合NTC温度センサとPressFITコンタクト技術が特徴です。サーマルインターフェイス素材は、xHP_B11型でご用意があります。このデバイスは、0～5Vおよび+15V～+18V推奨ゲート駆動電圧範囲、+23Vまたは-10Vの最大ゲート-ソース電圧、17mΩ または33mΩ ドレイン-ソース間抵抗オプションを備えています。統合取付クランプによって、堅牢な取付保証を実現しています。