Infineon Technologies EasyPACK™ Cシリーズ CoolSiC MOSFETモジュール
Infineon Technologies EasyPACK™ CシリーズCoolSiC MOSFETモジュールは、第2世代CoolSiCトレンチMOSFETと低インダクタンスEasy Cシリーズプラットフォーム、XT相互接続技術を組み合わせています。これらのInfineonのモジュールは、超低スイッチング損失、より厳密な寄生容量制御、パワーサイクル中の堅牢性を実現します。頑丈なPressFITピン、一体型NTCセンサ、一体型取り付けクランプ内蔵の取り付けクランプ、高CTI絶縁によって組み立てを容易にし、要求の厳しいミッションプロファイルをサポートします。4個パック(F4)と3-level(F3)のトポロジを利用可能なこのシリーズは、抵抗クラス8mΩと13mΩで提供されます。そのため、スイッチング周波数の向上、磁気部品の小型化、電力密度の増大と同時に、EMI性能および熱マージンの維持に貢献します。特徴
- 1200V CoolSiC MOSFET M2トレンチ技術によって導通損失とスイッチング損失を低減
- EasyPACK Cシリーズ低インダクタンスモジュールアーキテクチャによってオーバーシュート、リンギング、EMIを最小化
- 高い効率性と周波数の余地 - 低EON/EOFFと低浮遊インダクタンスにより、性能を犠牲にすることなく、よりクリーンなトランジェントと小型の磁気部品を実現
- ライフタイム・バイ・デザイン(設計段階から長寿命を確保)- XT相互接続技術は、機械的および熱的堅牢性を強化し、パワーサイクリング機能の向上と動作温度範囲の拡張を実現
- 8mΩおよび13mΩの抵抗クラス
- 広い安全動作領域と産業グレードの認証
- 予測可能な制御と保護 - CoolSiC Gen2 ゲート酸化物の改善と統合されたNTC温度センシングにより、温度範囲全体で安定した動作をサポート
- はんだフリー、再現性のあるビルド - PressFIT 端子と統合された取り付けクランプにより、生産が加速し、機械的信頼性が向上
- 拡張可能なプラットフォーム - 4つのパックと3-levelバリアント全体で一貫したEasy 2Cフットプリントとピンの哲学により、レイアウトの再利用と容易なアップグレードが可能
- 1200Vアプリケーション向けに最適化された沿面距離/クリアランスを備えた高CTI絶縁
アプリケーション
- EV DC急速充電器および産業用DC充電器(PFCおよびDC/DC段)
- 高周波絶縁型および非絶縁型DC/DCコンバータ(LLC、PSFB、その他類似製品)
- ソーラー/ESSストリングインバータおよび3-level NPC/Tタイプ段
- 無停電電源装置 (UPS) および高性能な産業用電源
- 産業用ドライブおよび補助トラクションコンバータ
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| 部品番号 | データシート | If - 順電流(Forward Current) | Id - 連続ドレイン電流 | Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース | ターンオン時の標準遅延時間 | 標準電源切断遅延時間 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| F3L8MXTR12C2M2H11BPSA1 | ![]() |
50 A | 95 A | 16.8 mOhms | 50.4 ns | 63 ns |
| F3L8MXTR12C2M2QH11BPSA1 | ![]() |
55 A | 95 A | 16.8 mOhms | 50.4 ns | 63 ns |
| F413MXTR12C1M2H11BPSA1 | ![]() |
30 A | 60 A | 25.2 mOhms | 24 ns | 48 ns |
| F48MXTR12C2M2H11BPSA1 | ![]() |
55 A | 95 A | 16.8 mOhms | 47 ns | 52.8 ns |
| F48MXTR12C2M2QH11BPSA1 | ![]() |
55 A | 100 A | 16.8 mOhms | 47 ns | 46.1 ns |
| F413MXTR12C1M2QH11BPSA1 | ![]() |
30 A | 60 A | 25.2 mOhms | 24 ns | 39 ns |
公開: 2026-04-17
| 更新済み: 2026-04-21

