Infineon Technologies EVAL-1ED3142MU12F-SIC評価ボード

Infineon Technologies  EVAL-1ED3142MU12F-SIC 評価ボードは、1ED3142MU12FゲートドライバICの機能と能力を評価するために設計されています。 この評価ボードには、あらかじめIMZA120R020M1H CoolSiC™ MOSFET2点が搭載されています。EVAL-1ED3142MU12F-SIC ボードは、高電圧側からロジック制御側への絶縁された過電流フィードバック信号用に追加ゲートドライバICを使用します。また、この評価ボードには、過電流検出用のコンパレータとして高速オペレーショナルアンプも使用されています。1ED3142MU12Fには、シンクとソースの分離出力、アクティブシャットダウン、正確で安定したタイミングが備わっています。これにより、出力チップが電源および短絡クランピングに接続されていない場合の安全なパワートランジスタのオフ状態と、短絡時のゲート電圧を制限するショートサーキットクランプが確保されます。主なアプリケーションには、EVチャージ、サーバー電源、太陽光発電システム向けのソリューション、無停電電源装置(UPS)があります。

特徴

  • 650V/1200V/1700V/2300V IGBT、Si、SiC MOSFETとの併用向け
  • 選択したアプリケーションに対応する2300Vの機能オフセット電圧
  • ガルバニック絶縁型コアレストランス・ゲートドライバ
  • 標準シンクおよびソースのピーク出力電流 6.5A
  • 35V絶対最高出力供給電圧
  • 45ns入力フィルタを用いた20ns伝搬遅延
  • > 300kV/μs高コモンモード過渡耐性(CMTI)
  • 独立したソースおよびシンク出力
  • 短絡クランピングとアクティブシャットダウン
  • DSO-8 150 milナローボディパッケージ

アプリケーション

  • EV充電
  • モーター制御とドライバ
  • サーバー電源
  • 太陽光発電システム向けソリューション
  • 無停電電源(UPS)

ブロック図

ブロック図 - Infineon Technologies EVAL-1ED3142MU12F-SIC評価ボード
公開: 2023-05-28 | 更新済み: 2025-01-14