Infineon Technologies SiC MOSFETおよびNTC搭載 HybridPACK™ DSC Sモジュール
Infineon Technologies SiC MOSFETおよびNTC搭載 HybridPACK™ DSC Sモジュールは、要求の厳しい車載アプリケーション、特にハイブリッド車や電気自動車（xEV）向けに設計された高性能パワーモジュールです。このコンパクトなハーフブリッジ モジュールは、炭化ケイ素 （SiC）MOSFETとNTC サーミスタを集積しており、優れた効率と熱性能を実現します。1200V の阻止電圧と190A の公称定格電流を備えたこのモジュールは、SiC 技術固有の利点により、低導通損失と低スイッチング損失を実現し、高速スイッチングをサポートしています。
このモジュールは、低誘導性の設計（<8nh）を特徴としており、放熱強化のために両面冷却（dsc）を使用し、最大+175°cのジャンクション温度での動作を可能にします。aln基板が低熱抵抗を保証し、内蔵のntcセンサがシステム保護のためのリアルタイムの温度モニタリングを提供します。ff06mr12a04ma2は、rohs準拠、ul>
特徴
- 電気
- 最大ドレイン・ソース間電圧：1200V
- 実装ドレイン電流：190A
- 最大順方向リーク電流：380A
- 低誘導性設計（<>
- 低ドレインソースオン抵抗
- 低スイッチング損失
- 低い総ゲート電荷量および逆方向転送容量
- 半導体材料：炭化ケイ素（SiC）
- スイッチング条件下での温度：+175°C
- 機械的特徴
- 1秒あたりの絶縁：4.25kVDC
- コンパクトな設計
- 高電力密度
- 低熱抵抗AIN基板
- 統合NTC温度センサ
- UL 94-V0定格モジュールフレーム
- IFX車載規格に準拠
- RoHS準拠
アプリケーション
- 車載
- ハイブリッド電気自動車 [（H）EV]
- モータドライブ
仕様
- MOSFET
- 最大ドレイン・ソース間電圧：1200V
- 最大DCドレイン電流：190A
- 最大パルスドレイン電流：380A
- ゲート-ソース間電圧
- 最大静止電圧：-5/20V
- 最大過渡電圧：-10/23V
- オン状態ゲート電圧：18V
- オフ状態ゲート電圧：-5V
- 最大ドレイン・ソース間オン抵抗：14.50mΩ
- ゲート閾値電圧範囲：3.25V〜4.55V
- 総ゲート電荷量：0.42µC（標準値）
- 内部ゲート抵抗器：0.9Ω
- 標準的な静電容量
- 10.1nF入力
- 0.43nF 出力
- 0.04nF逆方向転送
- 最大リーク電流
- ドレイン・ソース間：100µA
- ゲート・ソース間：100nA
- 標準的な時間（誘導性負荷）
- ターンオン遅延：29ns〜32ns
- 立ち上がり：23ns〜25ns
- ターンオフ遅延：228ns〜251ns
- 立ち下がり：53ns〜62ns
- パルスあたりの標準的なエネルギー損失
- ターンオン範囲：7.10mJ〜9.90mJ
- ターンオフ範囲：8.30mJ〜9.10mJ
- 接合部から冷却液への熱抵抗：0.251K/W
- スイッチング条件下での温度範囲：-40°C〜+175°C
- 絶縁調整
- 絶縁試験電圧：4.25kV
- AIN内部絶縁
- 沿面距離
- 端子-ヒートシンク間：8.5mm
- 端子間：4.3mm
- クリアランス
- 端子-ヒートシンク間：8.5mm
- 端子間：3.4mm
- 比較トラッキング指数：>600
- 浮遊インダクタンスモジュール：7.5nH（標準値）
- モジュールのリード抵抗、端子 - チップ間：0.45mΩ
- ボディダイオード（MOSFET）
- 最大ドレイン・ソース間電圧：1200V
- 最大DCボディダイオード順方向電流：75A
- 最大パルスボディダイオード電流：380A
- 最大順電圧：6.88V
- 標準的なピーク逆回復電流：43A〜98A
- 回復電荷範囲：0.50µC〜3.40µC
- 標準的な逆回復エネルギー：0.1mJ〜0.8mJ
- NTCサーミスタ
- 定格抵抗：5kΩ（標準値）
- R100 の偏差：±5%
- 最大電力損失：20mW
- 標準的なB値範囲：3375K〜3433K
回路図
開発ツール
公開: 2025-06-20
| 更新済み: 2025-07-22