Infineon Technologies NチャンネルOptiMOS™ 7 25VパワーMOSFET
Infineon Technologies NチャンネルOptiMOS™ 7 25VパワーMOSFETは、アプリケーションに最適化された性能を提供し、データセンター、サーバー、AIなどのピーク性能を実現します。MOSFETは、ハードスイッチングとソフトスイッチングトポロジでご用意があります。ハードスイッチング向けに最適化されたデバイスは、優れたミラー比およびFOMと、低減されたRDS(on) を特徴としています。ソフトスイッチング向けに最適化されたMOSFETは、極め低いRDS(on) およびFOMQg を実現しています。
インフィニオンのNチャンネル OptiMOS 7 25V パワーMOSFETは、3.3mm x 3.3mm2のSDパッケージで提供されます。
特徴
- アプリケーション固有の最適化
- 性能と効率の向上
- 高度な誘導ターンオン耐久性
- ドライバとスイッチング損失の低減
- 伝導損失を低減済
- 信頼性と電力密度の向上
- 優れた熱機能
- パッケージの寄生を削減
- MOSFETの並列接続を簡素化
アプリケーション
- データセンターおよびAIデータセンターソリューション
- 48V中間バスコンバータ（IBC）
- 通信インフラ
- 電力変換
- サーバー電源装置（PSU）
関連するMOSFET
Infineon Technologies NチャンネルOptiMOS™ 7パワーMOSFET
要求の厳しい電力変換アプリケーション用に設計された高性能Nチャンネルトランジスタです。
OptiMOS 5 25V対OptiMOS 7 25V
View Results ( 10 ) Page
| 部品番号 | データシート | Qg - ゲート電荷 | Id - 連続ドレイン電流 | Vgs - ゲート-ソース間電圧 | チャンネル数 |
|---|---|---|---|---|---|
| IQEH42NE2LM7ZCGSCATMA1 |  |
29 nC | 460 A | 12 V | 1 Channel |
| IQEH46NE2LM7ZCGSCATMA1 | |
29 nC | 430 A | 12 V | 1 Channel |
| IQEH64NE2LM7UCGSCATMA1 | |
22 nC | 348 A | 16 V | 1 Channel |
| IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 | |
29 nC | 422 A | 12 V | 1 Channel |
| IQEH54NE2LM7UCGATMA1 | |
27 nC | 406 A | 16 V | 1 Channel |
| IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 | |
27 nC | 298 A | 16 V | 1 Channel |
| IQEH68NE2LM7UCGATMA1 | |
22 nC | 338 A | 16 V | 1 Channel |
| IQEH80NE2LM7UCGSCATMA1 | |
17.2 nC | 282 A | 16 V | 1 Channel |
| IQEH84NE2LM7UCGATMA1 | |
17.2 nC | 275 A | 16 V | 1 Channel |
| IQEH46NE2LM7UCGSCATMA1 | |
27 nC | 440 A | 16 V | 1 Channel |
公開: 2026-03-03
| 更新済み: 2026-03-26