Infineon Technologies OptiMOS™7100V自動車用パワーMOSFET
インフィニオン (Infineon) のOptiMOS™ 7 100V自動車用パワーMOSFETは、最新の車載アーキテクチャにおいて高効率なパワースイッチングを実現するよう設計された先進的なNチャネルデバイスです。OptiMOS™ 7テクノロジーを採用したこれらの100V MOSFETは、非常に低いオン抵抗、高速スイッチング性能、高いアバランシェ耐量を実現しています。これにより、優れた堅牢性と熱性能を維持しながら、導通損失およびスイッチング損失を低減できます。これらの特長により、信頼性、高効率性、安定動作が求められる厳しい車載環境向けに、高電力密度設計をコンパクトなパッケージで実現できます。
これらのインフィニオン (Infineon) のMOSFETは、48V車載システム向けに最適化されており、DC-DCコンバータ、ポンプ/ファン向けモータ制御、電力分配、バッテリ管理システムなどのアプリケーションで幅広く使用されています。これらのデバイスは、高効率な電力変換と高いスイッチング性能が求められる電動パワーステアリング、ブレーキ、LED照明、軽電動車両サブシステムなどの重要な機能にも対応します。OptiMOS™ 7 100Vファミリは、システム性能を向上させるとともに、熱設計および実装スペースの制約を緩和することで、車両の電動化と省エネルギー化への移行を支援します。
特徴
- OptiMOS自動車アプリケーション向けパワーMOSFET
- Nチャネル拡張モード
- IAUCN10S7L290T向けロジックレベル対応
- IAUCN10S7N025T向け標準レベル対応
- AEC-Q101を超える拡張認定に対応
- 優れた電気試験実施
- 導通損失の最小化を達成
- 優れたスイッチング性能
- ハイパワー電力密度と高効率性を実現
- 電流容量の向上
- 非常に低いRDS（on）を実現
- 堅牢な設計
- PG-LHDSO-10パッケージ
- 耐湿性レベル（MSL）1、最高+260°Cのリフロー温度に対応
- 動作温度範囲：-55°C～+175°C
- 100%アバランシェ試験済み
- RoHS準拠
アプリケーション
- DC-DCコンバータ（電力変換）
- モーター制御システム
- 車載補助負荷アプリケーション
- 電力分配およびスイッチングアプリケーション
- バッテリ管理システム（BMS）
- ステアリングおよび安全システムアプリケーション
- 照明システム
- 電動モビリティおよび軽車両向けプラットフォームアプリケーション
仕様
- 静的特性
- 最小ドレイン-ソース間破壊電圧：100V
- ゲート閾値電圧範囲 : 1.2V ~ 3.2V
- ゼロゲート電圧ドレイン電流範囲：1μA～29μA
- ゲートソース間最大リーク電流：100nA
- ドレインソース間オン抵抗：2.5mΩ～38.2mΩ
- ゲート抵抗範囲：0.9Ω～1.5Ω
- 動的特性
- 最大入力容量範囲：560pF～6,600pF
- 最大出力容量範囲：240pF～2,760pF
- 最大逆静電容量範囲：8pF～30pF
- 標準ターンオン遅延時間：2ns～16ns
- 2ns～15nsの標準立ち上がり時間範囲
- 標準ターンオフ遅延時間：8ns～33ns
- 4ns～18nsの標準立ち下がり時間範囲
- ゲート充電特性
- 最大ゲート-ソース間電荷：1.8nC～31nC
- 最大ゲート-ドレイン間電荷：3nC～19nC
- 最大総ゲート電荷：11nC～93nC
- 標準ゲート・プラトー電圧：3.1V～4.6V
- 逆ダイオード特性
- 最大ダイオード連続順方向電流：27A～175A
- 最大ダイオード・パルス電流：52A～622A
- 最大ダイオード順方向電圧：1V
- 最大逆回復時間：32ns～68ns
- 最大逆回復電荷範囲：15nC～82nC
- シングルパルス・アバランシェ対応
- 最大エネルギー範囲：12mJ～139mJ
- 最大電流範囲：18A~125A
- 最大電力損失：45W～205W
データシート
回路図
OptiMOS™ 7 自動車用パワーMOSFET
Infineon Technologies OptiMOS™ 7 車載用パワーMOSFET
革新的なリードレスで堅牢なパワーパッケージを備えたパワーMOSFET技術を実装。
Infineon Technologies OptiMOS™ 7 80V車載用パワーMOSFET
要求の厳しい車載アプリケーションに必要とされる高性能、高品質、および堅牢性を特に重視して設計されています。
Infineon Technologies OptiMOS™ 7 40V 車載向け パワーMOSFET
高い電力密度、導通損失の最小化、最適化されたスイッチング性能が特長。
公開: 2026-05-12
| 更新済み: 2026-05-26