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Infineon Technologies OptiMOS™ 8パワーMOSFET

インフィニオン (Infineon) OptiMOS 8パワーMOSFETは、極めて低いオン抵抗［RDS(ON)］を実現したNチャネル、ノーマルレベルの80Vまたは100V MOSFETです。80V MOSFETは両面放熱パッケージ（WSON-8）で提供され、一方、100V MOSFETは標準的なTDSON-8パッケージで提供されます。各パッケージは優れた熱抵抗を備え、100%アバランシェテスト済みです。Infineon Technologies OptiMOS™ 8パワーMOSFETは、ソフトリカバリダイオード、無鉛、ハロゲンフリー、RoHS準拠が特徴です。

特徴

  • Nチャンネル、標準レベル
  • モータドライブ、同期整流、バッテリ保護に最適化（ISC016N08NM8およびISC016N08NM8SC）
  • 高性能SMPSおよびモータドライブに最適化（ISC019N10NM8SC）
  • 接合部上部の熱抵抗が最低クラスの両面冷却パッケージ（ISC016N08NM8SCおよびISC019N10NM8SC）
  • ソフトリカバリボディダイオード
  • 100%アバランシェ試験済み
  • 卓越した熱抵抗
  • 非常に低いRDS(ON)
  • +175°C定格
  • 無鉛メッキ加工、RoHS準拠
  • IEC61249-2-21準拠のハロゲンフリー
  • J-STD-020に準じたMSL 1分類（ISC016N08NM8およびISC016N08NM8SC）

アプリケーション

  • データセンターおよびAIデータセンターソリューション
  • 通信インフラ
  • 太陽光発電
  • 産業用および民生用BMS
  • サーバー電源装置（PSU）
  • マルチコプタとドローン
  • 動力工具
  • ヒューマノイドロボット
  • モーター制御

仕様

  • ドレイン・ソース間降伏電圧 [V(BR)DSS]（VGS = 0V、ID = 1mA）
    • ISC016N08NM8、ISC016N08NM8SC: 80V（最小.）
    • ISC019N10NM8SC: 100V（最小.）
  • ドレイン・ソース間 RDS(on)（VGS = 10V、ID = 50A）
    • ISC016N08NM8、ISC016N08NM8SC: 1.64mΩ（最大）
    • ISC019N10NM8SC: 1.95mΩ（最大）
  • 連続ドレイン電流（ID）（VGS = 10V、TC = 25°C）
    • ISC016N08NM8: 268A（最大）
    • ISC016N08NM8SC: 269A（最大）
    • ISC019N10NM8SC: 245A（最大）
  • 出力電荷量（Qoss）
    • ISC016N08NM8、ISC016N08NM8SC：147nC（代表値）（VDS = 40V、VGS = 0V）
    • ISC019N10NM8SC：205nC（代表値）（VDS = 50V、VGS = 0V）
  • 総ゲート電荷量（GQ）
    • ISC016N08NM8、ISC016N08NM8SC：76nC（代表値）（VDD = 40V、ID = 50A、VGS = 0V〜10V）
    • ISC019N10NM8SC：106nC（VDD = 50V、ID = 25A、VGS = 0V〜10V）
  • 逆回復電荷量（Qrr）
    • ISC016N08NM8、ISC016N08NM8SC：162nC（代表値）（VR = 40V、IF = 50A、diF/dt = 100A/μs）
    • ISC019N10NM8SC：53nC（代表値）（VR = 50V、IF = 25A、diF/dt = 100A/μs）

その他の資料

パッケージおよび回路図

チャート - Infineon Technologies OptiMOS™ 8パワーMOSFET
公開: 2026-03-04 | 更新済み: 2026-06-26