Infineon Technologies Q-DPAK フルブリッジ V2.1 評価ボード

Infineon Q-DPAK フルブリッジ V2.1 評価ボードは、Q-DPAK パッケージに収められた第2世代 CoolSiC™ 750V G2 SiCパワー MOSFET の最適な用途を実証します。この評価ボードは、高速スイッチング用に最適化されており、スイッチング損失評価ではありません。Infineon の Q-DPAK フルブリッジ V.2.1 評価ボードは、連続スイッチングではなく、単独パルス用に構築されています。ボードは、対応する Infineon ゲートドライバ、各ドメインの絶縁電圧を提供する小型DC-DCコンバータ、DCリンクに対応して電源ループを終端する受動部品が搭載されているフルブリッジアセンブリで4つの750V CoolSiC スイッチを搭載しています。

この評価ボードは、Q-DPAKパッケージに収められた高速スイッチングデバイスの最適な用途を示しています。各MOSFETは、SMA端子を介して提供される外部PWM信号によって制御できます。

特徴

  • フルブリッジトポロジによって、ラボ評価のための最高レベルの柔軟性が実現
  • PFCおよびソフトスイッチングDC-DCコンバータの評価を目的としたビルディングブロック
  • 最適なPCBレイアウトによる高速スイッチング
  • シングルおよび連続 PWM で動作
  • 上層、下層の高圧電位間のクリアランス:2.6mm
  • 内部層用クリアランス:0.6mm
  • 高速駆動用に最適化されたゲートループ設計
  • 両方のハーフブリッジを対象としたドレイン-ソース電圧(Vds)およびゲート-ケルビンソース電圧(Vgsk)用のプロービングポート

コンポーネント

  • AIMDQ75R016M2H: Infineon CoolSiC™ G2車載用パワーMOSFET 750V
  • 2EDB9259Y: Infineon EiceDRIVER™デュアルチャンネル絶縁ゲートドライバIC(150mil DSOパッケージに格納)
  • BAT165: Infineon中電力AFショットキーダイオード
  • テスト完了済みPCB

上面図

Infineon Technologies Q-DPAK フルブリッジ V2.1 評価ボード

ブロック図

ブロック図 - Infineon Technologies Q-DPAK フルブリッジ V2.1 評価ボード
公開: 2025-09-30 | 更新済み: 2025-10-15