Infineon Technologies SSRリファレンス設計キット
Infineon Technologies ソリッドステートリレー（SSR）リファレンスデザインキットを使用すると、250VAC または350VDC 動作と2Aの公称電流をサポートする、ACおよびDCタイプのソリッドステートリレーを小型フォームファクタで評価することができます。このボードはコンパクトで、コアレストランス (CT) 技術を採用した革新的な絶縁EiceDRIVER™ iSSIゲートドライバ、および統合型温度センサが搭載されたCoolMOS™ S7T SJ MOSFETによる統合された過電流および過熱保護メカニズムが特徴です。
特徴
- 双方向電流遮断機能のためのバック・ツー・-バック（B2B）CoolMOS構成
- 調整可能な入力電源電圧
- ACおよびDC動作
- ジャンクション温度（Tj）を測定し、過熱保護を可能にする温度センサを内蔵したCoolMOS S7TパワーFET（IPT60T022S7）
- 最大5.7kVRMS のガルバニック絶縁
- 高速スイッチオフ（<10μs）
- シャント抵抗ベースのチャンネル電流測定
- 過電流（OCD）および過熱保護（OVT）機能を内蔵したソリッドステートアイソレータ（ISSI30R12H）
- 過電圧保護（OVP）用の外部クランプ素子
- 小型フォームファクタ
- 信頼性と安全性の向上
- アークフリースイッチング
- 個別の出力バイアス電源不要
アプリケーション
- 産業用オートメーション
- ソリッドステートリレー
仕様
- 最大スイッチング電圧：250VAC/350VDC（代表値）
- 公称スイッチング電流：2A（代表値）
- 入力電源電圧範囲：2.5VDC 〜3.5VDC
- 過電流制限範囲：27A〜31A
- 動作周囲温度：+40°C（最大値）、+25°C（代表値）
- 汚染度II
- 過電圧カテゴリーII
- 最大高度：2000m
SSRのブロック図
関連製品
Infineon Technologies 600V CoolMOS™ SJ S7/S7T パワーMOSFET
低周波スイッチングアプリケーション向けに低価格で高い性能を実現。
公開: 2024-10-02
| 更新済み: 2024-11-01