ISSI LPDDR4 & LPDDR4XモバイルSDRAM

ISSI LPDDR4およびLPDDR4X SDRAMは、低電圧メモリデバイスで、2Gb、4Gb、8Gbの密度でご用意があります。これらのデバイスは低電圧コアとI/O電力要件により、モバイルアプリケーションに最適です。LPDDR4およびLPDDR4X SDRAMには、10MHz~1600MHzのクロック周波数範囲およびI/Oあたり最大3200Mbpsのデータレートが備わっています。これらのデバイスは、同時動作を目的とした、チャンネルあたり8個の内部バンクで構成されています。LPDDR4およびLPDDR4Xはどちらも、プログラマブルおよび「オンザフライ」バースト長でのプログラマブル読取と書込レイテンシを備えています。

ISSI LPDDR4およびLPDDR4X SDRAMには、ダブルデータレート・アーキテクチャが採用されており、高速動作を実現できます。ダブルデータレート・アーキテクチャは、16nプリフェッチアーキテクチャで、I/Oピンでクロックサイクルあたり2つのデータワードを転送するように設計されたインターフェイスを搭載しています。これらのデバイスには、クロックの立ち上がりエッジと立ち下がりエッジの両方を参照する完全同期動作が備わっています。このデータパスは内部パイプラインされており、非常に高い帯域幅を達成するために16nビットを先取りしています。

特徴

  • 低電圧供給
    • LPDDR4: 1.8V
    • LPDDR4X: 1.1V
  • 定電圧I/O
    • LPDDR4: 1.1V
    • LPDDR4X: 0.6V
  • 周波数範囲:10MHz~1600MHz
  • I/Oデータレートあたり20Mbps~3200Mbps
  • 16n先取りDDRアーキテクチャ
  • 同時動作用の8個の内部バンク
  • 多重化、ダブル・データ・レート、コマンド/アドレスの入力
  • 低い電力消費削減のためのモバイル機能
  • プログラマブル読取および書込レイテンシ
  • プログラマブルおよびオンザフライバースト長(BL = 16または32)
  • 効率的な自己更新制御のためのオンチップ温度センサ
  • ZQキャリブレーション
  • ドライブ強度を調整可能
  • パーシャルアレイセルフリフレッシュ(PASR)
  • 10mm x 14.5mmのBGA-200パッケージ

アプリケーション

  • モバイルコンピューティング
  • タブレット
公開: 2020-07-14 | 更新済み: 2025-12-17