IXYS シリコンカーバイド(SiC)デバイス
IXYSシリコンカーバイド(SiC)は、効率性、信頼性、熱管理の改善が所望されるアプリケーションに最適です。IXYS/Littelfuseは、入手可能なもっとも信頼性の高いシリコンカーバイド半導体デバイスの開発に注力しています。
特徴
- 2500V絶縁電圧(UL認定)
- 低い熱抵抗
- ハイパワーサイクリング機能
- 寄生インダクタンスと容量を低減
- モジュール回路構成が可能
- ハーフブリッジ構成
- 直列接続されたコモンアノードFRED
- 直列ショットキーダイオード搭載MOSFET
- 複数のディスクリートの交換
関連製品
効率性、信頼性、熱管理の改善が所望されるアプリケーションに最適です。
公開: 2019-10-25
| 更新済み: 2026-09-24