Kioxia THGAM e-MMC™ NANDフラッシュメモリ
Toshiba THGAM e-MMC™ NANDフラッシュ・メモリには、Bit Column Stacked (BiCS) FLASH™ 3Dテクノロジが実装されており、64層および96層スタッキングが備わっています。これらのフラッシュ・メモリは、コスト効率の高い方法が必要になるさらなる高データ量のアプリケーションを対象とした最適なソリューションです。THGAM eMMCフラッシュ・メモリは、マルチメディアカード協会（MCMA）高速メモリインタフェイス規格に完全に準拠しています。これらのフラッシュメモリは、最新のJEDEC Version 5.0および5.1に準拠しています。
THGAM eMMCフラッシュ・メモリは、エラー管理コード、不良ブロック管理、ウェアレベリング、ガベージ・コレクションが搭載された統合メモリ管理が特徴です。これらのフラッシュ・メモリには、FBGAパッケージおよび標準（-25°C～+85°C）/拡張（-40°C～105°C）温度バージョンがあります。一般的なアプリケーションには、コンシューマー・エレクトロニクス、マルチメディア、スマートメータ計測、インテリジェント照明があります。
特徴
- メモリ: 4GB～128GB
- 15nmのFG / BiCS 3D NANDテクノロジ
- マルチレベル・セル（MLC）テクノロジ
- 最新のJEDEC Version 5.0および5.1に準拠
- 統合メモリ管理:
- エラー訂正コード
- 不良ブロック管理
- ウェアレベリング
- ごみ収集
- JEDEC 5.xに準拠した、さらなる高速インターフェイス速度HS400
- マネージド・メモリ
- Toshibaが独自に開発したコントローラと組み合わされた高品質のToshiba MLC NANDフラッシュメモリを活用
- 動作温度範囲:
- -25°C～85°C（標準）
- -40°C～105°C（拡張）
- FBGAパッケージ
アプリケーション
- 産業用
- 家庭用電子機器
- マルチメディア
- スマートメータ
- インテリジェント照明
- スマート・アプリケーション
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公開: 2019-04-24
| 更新済み: 2025-06-13