TDK-Micronas HAR® 3900外乱磁場補正機能付き3Dアングルセンサ

TDK-ミクロナスHAR® 3900漂遊磁場堅牢3D位置センサは、高精度の位置検出を行うために設計された高分解能の位置センサです。このセンサは、漂遊磁場に対する耐性を持つ2D位置センシング(直線および角度)と、ISO 26262規格に準拠した開発のニーズに応えています。HAR 3900は、2つの独立したダイを1つのパッケージに積層し、それぞれがパッケージの一方の側のピンに電気的に接続されることにより、完全な冗長性を提供します。この積層ダイのアーキテクチャにより、両方のダイが同じ磁場位置を占有し、同期した測定信号を生成することが確保されますプログラミングはSPIインターフェイスを介して行われ、HAR 3900は360° の角度範囲、直線運動、および3D位置情報を測定します。ホールテクノロジーを基にしたこのモジュールは、垂直および水平方向の磁場成分を測定し、ホールプレートのアレイを使用して外部の漂遊磁場を抑制します。

TDK-ミクロナスHAR 3900漂遊磁場堅牢3D位置センサは、ASIL Bに対応し、ASIL Dに準じた自動車安全関連システムに統合できます。このモジュールは、16ピンSSOP-16 SMDパッケージでご提供します。

特徴

  • BX、BY、BZのうち2つの角度の送信に対応ししている3D位置検出
  • SPIを介してBX、BY、BZの温度補正された値を送信可能
  • 360°までの正確な角度測定と直動計測
  • 外乱磁界の補正(直線または回転位置検出)
  • 機能安全用途でISO 26262に準拠したSEooC ASIL B対応
  • SPIインターフェイスを介したプログラミング
  • 出力ゲインとオフセット、参照位置、温度依存オフセットなど、さまざまな構成可能な信号処理パラメータ
  • 任意の出力特性をプログラム可能。33点の等間隔セットポイントあるいは17点の可変セットポイントのどちらかを選択可能
  • 冗長性とロック機能を備えた不揮発性メモリ(EEPROM)の特性をプログラム可能
  • ユーザーロック後の不揮発性メモリへの読取アクセス
  • センサのさまざまな機能ブロックのオンチップ診断
  • 磁場により低消費電力モードで動作可能/位置情報変更/外部ウェイクアップピン

アプリケーション

  • 回転位置の測定が可能(軸端および軸側面)
    • トランスミッション
    • ワイパー位置検出
  • リニア位置検出
    • トランスミッション
  • 実際の3D位置検出
    • ジョイスティック
    • シフタ位置検出
    • ステアリングコラムスイッチの位置検出

仕様

  • SSOP16 SMDパッケージ
  • 供給電圧3V~5.5V
  • SPI通信 最大5MHz
  • CRCとローリングカウンタによる16-bitデータ伝送
  • 最大16kspsまでのサンプリング周波数
  • 推奨磁界範囲 ±10mT~130mT
  • 接合部の動作温度範囲 -40°C~+170°C(最大周囲温度+160°C)
公開: 2023-06-20 | 更新済み: 2025-06-19