Nexperia GANB4R8-040CBA双方向GaN FET

Nexperia GANB4R8-040CBA双方向GaN FETは、40V、4.8mΩ 双方向窒化ガリウム(GaN) 高電子移動度トランジスタ (HEMT) です。GANB4R8-040CBAは、通常はオフのeモードFETで、優れた性能を実現しています。Nexperia GANB4R8-040CBAは、ウェハーレベル・チップ・スケール(WLCSP) パッケージでご用意があります。

特徴

  • エンハンスメントモード-通常オフ電源スイッチ
  • 双方向デバイス
  • 超高スイッチング速度機能
  • 超低オン状態抵抗
  • RoHS、無鉛、REACH準拠
  • 高効率と高電力密度
  • ウェハーレベルチップスケールパッケージ (WLCSP) 2.1mm x 2.1mm

アプリケーション

  • ハイサイド負荷スイッチ
  • スマートフォンUSBポートでのOVP保護
  • 電源スイッチ回路
  • スタンバイ電力システム
アプリケーション回路図 - Nexperia GANB4R8-040CBA双方向GaN FET
公開: 2024-06-04 | 更新済み: 2024-10-01