Nexperia GANE3R9-150QBA窒化ガリウム(GaN)FET

Nexperia GANE3R9-150QBA窒化ガリウム(GaN) FETは、汎用150V、3.9mΩ 窒化ガリウム(GaN) FETです。GANE3R9-150QBAは、通常はオフのEモードデバイスで、優れた性能と非常に低いオン状態抵抗を実現しています。Nexperia GANE3R9-150QBAは、非常に薄型のクワッド・フラット・ノーリード・パッケージ(VQFN) でご用意があります。

特徴

  • エンハンスメントモード-通常オフ電源スイッチ
  • 超高周波数スイッチング機能
  • 非ボディダイオード
  • 低ゲート電荷、低出力電荷
  • 標準アプリケーション向けに認定済
  • RoHS、無鉛、REACH準拠
  • 高効率と高電力密度
  • 超薄型クワッドフラット無鉛パッケージ(VQFN) 4.0mm x 6.0mm

アプリケーション

  • 高電力密度および効率性の高い電力変換
  • AC/DCコンバータ(二次段)
  • 48Vシステムでの高周波DC/DCコンバータ
  • 高速バッテリー充電、携帯電話、ノートパソコン、タブレット、USBタイプC充電器
  • データコムとテレコム(AC/DCおよびDC/DC)コンバータ
  • モータドライブ
  • LiDAR(非車載用)
  • クラスDオーディオアンプ
アプリケーション回路図 - Nexperia GANE3R9-150QBA窒化ガリウム(GaN)FET
公開: 2024-06-04 | 更新済み: 2024-07-02