Nexperia NextPower 80/100V MOSFET
Nexperia NextPower 80/100V MOSFETは、高効率のスイッチングおよび信頼性の高いアプリケーションに推奨されます。NextPower MOSFETは、RDS (on) が50%低く、強いアバランシェエネルギー定格を備えているのが特徴です。このデバイスは、電源、通信、工業設計、USB-PD Type-C充電器とアダプタ、48V DC-DCアダプタに最適です。ボディダイオード損失が低く、Qrr は50ナノクーロン（nC）まで低下します。これによって、逆回復電流（IRR）の低下、電圧スパイク（Vpeak）の低下、リンギングの低減がもたらされ、デッドタイムをさらに最適化することができます。
特徴
- 低Qrr により効率性向上とスパイキング低下を実現
- 高効率スイッチングアプリケーションに対応する低QG × RDS (on) FOM
- 強力なアバランシェエネルギー定格（Eas）
- 80Vおよび100Vポートフォリオ
- アバランシェ定格、100%試験済
- HAフリーおよびRoHS準拠LFPAK56パッケージ、LFPAK88パッケージ
- LFPAK56（SOT669）、LFPAK56E（SOT1023）、LFPAK88（SOT1235）ウェーブはんだ付け対応パッケージ
アプリケーション
- AC/DCおよびDC/DCでの同期整流器
- 48V DC/DC一次側スイッチ
- BLDCモータ制御
- USB-PDアダプタと充電器
- フルブリッジとハーフブリッジ・アプリケーション
- フライバックおよび共振トポロジ
アプリケーションの性能
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| 部品番号 | データシート | 説明 | Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 | Qg - ゲート電荷 |
|---|---|---|---|---|
| PSMN1R8-80SSFJ |  |
MOSFET SOT1235 N-CH 80V 270A | 4 V | 148 nC |
| PSMN2R0-100SSFJ | |
MOSFET SOT1235 100V 267A N-CH MOSFET | 4 V | 161 nC |
| PSMN012-100YSFX | |
MOSFET SOT669 100V 65A N-CH MOSFET | 4 V | 29 nC |
| PSMN4R5-80YSFX | |
MOSFET SOT669 N-CH 80V 100A | 4 V | 60 nC |
| PSMN5R5-100YSFX | |
MOSFET SOT669 100V 115A | 4 V | 64 nC |
| PSMN7R2-100YSFX | |
MOSFET SOT669 100V 111A N-CH MOSFET | 4 V | 50 nC |
| PSMN9R8-100YSFX | |
MOSFET SOT669 100V 80A N-CH MOSFET | 4 V | 34 nC |
| PSMN3R5-80YSFX | |
MOSFET SOT1023 N-CH 80V 150A | 4 V | 75 nC |
| PSMN015-100YSFX | |
MOSFET SOT669 100V 55A N-CH MOSFET | 4 V | 24 nC |
| PSMN3R9-100YSFX | |
MOSFET SOT1023 100V 120A N-CH | 4 V | 79 nC |
公開: 2020-08-28
| 更新済み: 2024-05-06