Nexperia PMVxx PチャンネルTrench MOSFET
NXP PチャンネルTrench MOSFETは、小型のSOT23（TO-236AB）表面実装デバイス（SMD）プラスチックパッケージに収められたエンハンスメントモード電界効果トランジスタ（FET）です。Trench MOSFET技術を採用し、低い閾値電圧と超高速スイッチングを提供します。これらのMOSFETは、リレードライバ、高速ラインドライバ、ローサイド負荷スイッチ、スイッチング回路としての応用に最適です。
特徴
- Low threshold voltage
- Very fast switching
- Trench MOSFET technology
- 2kV ESD protected
- Low on-state resistance
- Enhanced power dissipation capability of 1096mW
- Enhanced power dissipation capability: Ptot= 1000mW
アプリケーション
- Relay driver
- High-speed line driver
- High-side load switch
- Switching circuits
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| 部品番号 | データシート | Id - 連続ドレイン電流 | Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース | Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 | Vgs - ゲート-ソース間電圧 | Qg - ゲート電荷 | Pd - 電力損失 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PMV50XPR |  |
4.4 A | 48 mOhms | 900 mV | - 12 V, 12 V | 7.7 nC | 1.096 W |
| PMV33UPE,215 | |
5.3 A | 30 mOhms | 950 mV | - 8 V, 8 V | 14.7 nC | 980 mW |
| PMV75UP,215 | |
3.2 A | 77 mOhms | 900 mV | - 12 V, 12 V | 5 nC | 1 W |
| PMV50XPAR | |
3.6 A | 60 mOhms | 1 V | - 10 V, 10 V | 7.7 nC | 1.096 W |
公開: 2015-03-10
| 更新済み: 2023-02-07