Omron Electronics G3VM-MT MOSFETリレーモジュール

Omron Electronics G3VM-MT MOSFETリレーモジュールは、高精度測定を提供し、電子部品の生産性を向上させます。このリレーは、コンパクトなサイズと長寿命からなるT型回路構造を特徴としています。回路構造は3つのMOSFETリレーで構成されており、精度に影響を与えることなく、リーク電流を最小レベルに抑えることができます。これらのモジュールは、21MT、61MT、101MTの型式でご用意しています。Omron G3VM-MTは、主に半導体デバイスの電気試験を行うために使用される試験装置において、測定信号のスイッチングを可能にします。

特徴

  • 小型パッケージによってプリント基板の取付スペースの削減に貢献
  • 主回路が’オープン、副回路がクローズ時のリーク電流: VOFF=20Vで1pA (最大)
  • 接点構成: 1A (SPST-NO) + Tスイッチ機能
  • 表面実装

仕様

  • 最大リーク電流: 1pA
  • 最大負荷電圧: 20V ~ 100V
  • 最大連続負荷電流: 200mA ~ 500mA
  • 最大抵抗値: 8Ω t~ 0.4Ω (出力オン時)
  • 出力端子間容量: 0.6pF 23pF
  • 3mA @ 25°CトリガーLED最大順方向電流

ビデオ

3-MOSFET構造(Tモジュール)

ブロック図 - Omron Electronics G3VM-MT MOSFETリレーモジュール
View Results ( 3 ) Page
部品番号 データシート 定格負荷電流 定格負荷電圧 リレー接点構成 末端様式 オン抵抗 - 最大 出力タイプ
G3VM-21MT(TR01) G3VM-21MT(TR01) データシート 200 mA 20 VAC, 20 VDC 1 Form A (SPST-NO) SMD/SMT MOSFET
G3VM-61MT(TR01) G3VM-61MT(TR01) データシート 800 mA 60 VAC, 60 VDC 1 Form A (SPST-NO) Solder Pad 800 mOhms MOSFET
G3VM-101MT(TR01) G3VM-101MT(TR01) データシート 550 mA 100 VAC, 100 VDC 1 Form A (SPST-NO) Solder Pad 1.5 Ohms MOSFET
公開: 2020-01-08 | 更新済み: 2024-03-25