onsemi AFGHL40T65SQD & AFGHL50T65SQD IGBT
Onsemi AFGHL40T65SQDおよびAFGHL50T65SQD IGBTは、第4世代の高速フィールドストップIGBTで、自動車アプリケーションに最適です。AFGHL40T65SQDおよびAFGHL50T65SQD IGBTには、ハードスイッチングとソフトスイッチングのためのさらなる高い信頼性と最適な性能が備わっています。OnsemiAFGHL40T65SQDおよびAFGHL50T65SQDIGBT はAEQ101準拠で、非常に低いスイッチング損失と伝導損失を提供します。
特徴
- AEC-Q101準拠
- +175°C最高接合部温度
- 簡単な並列動作のための正の温度係数(PTC)
- 大電流能力
- 40AIC 低飽和電圧で1.6V標準 VCE (Sat)
- 100%のパーツは、ILM でテスト済
- 高速スイッチング
- 非常に小さいパラメータ分布のばらつき
- RoHS準拠
アプリケーション
- ハードスイッチング
- DC/DCコンバータ
- トーテムポールブリッジレス力率補正(PFC)
- PTC
- 自動車
- ハイブリッド/電気自動車(HEV-EV) オンボード充電器
- HEV-EV DC-DC コンバータ
仕様
- AFGHL40T65SQD
- コレクター-エミッター間電圧:650V
- ゲート‐エミッタ間電圧：±20V
- 過渡ゲート‐エミッタ間電圧：±30V
- コレクタ電流：TC = +100°Cで40A
- コレクタ電流：TC = +25°Cで80A
- パルスコレクタ電流：160A
- TC = +25°Cダイオード順電流80A
- TC = +100°Cダイオード順電流20A
- 160Aパルスダイオード最大順電流
- TC = +25°Cで最大電力損失238W
- TC = +100°Cで最大電力損失119W
- -55 ～ +175°C動作接合部/保存温度範囲
- ハンダ付け時の最高リード温度は+300°C、ケースから1/8インチ離して５秒間
- AFGHL50T65SQD
- コレクター-エミッター間電圧:650V
- ±20Vゲート－エミッタ電圧
- ±30V過渡ゲート－エミッタ電圧
- コレクタ電流：TC = +100°Cで50A
- コレクタ電流：TC = +25°Cで80A
- パルスコレクタ電流：200A
- TC = +25°Cでダイオード順方向電流80A
- TC = +100°Cでダイオード順方向電流で30A
- 200Aパルスダイオード最大順電流
- TC = +25°Cで最大電力損失268W
- TC = +100°Cで最大電力損失134W
- 動作接合部/保存温度範囲: -55°C ～ +175°C
- はんだ付け時最高リード温度+300°C、ケースから1/8インチ離して5秒間
データシート
概要
公開: 2020-06-16
| 更新済み: 2024-06-10