onsemi FFSH1265BDN-F085 650V SiCショットキーダイオード
onsemi FFSH1265BDN-F085 650V 12Aシリコンカーバイド(SiC)ショットキーダイオードには、優れたスイッチング性能およびシリコンに対するさらなる高信頼性を実現できるテクノロジーが採用されています。FFSH1265BDN-F085 SiCダイオードは、温度の影響を受けないスイッチング特性が特徴で、逆回復電流がなく、優れた熱性能が備わっています。その他のメリットとして、最高クラスの効率性、より早い動作周波数、電力密度の増大、EMIの削減、システムサイズとコストの削減があります。FFSH1265BDN-F085 650V、12A SiCショットキーダイオードは、TO-247-3LDパッケージでご用意があります。特徴
- 最高接合部温度+175°C
- アバランシェ定格24.5mJ
- 高サージ電流能力
- 正温度係数
- 並列接続が簡単
- 逆方向リカバリなし/順方向リカバリなし
- AEC-Q101認定
- 無鉛
- ハロゲンフリー/BFRフリー
- RoHS準拠
アプリケーション
- 車載用HEV-EVオンボード充電器
- 車載用HEV-EV DC-DCコンバータ
電気的接続
公開: 2019-11-07
| 更新済み: 2024-06-24
