特徴
- 最高+28Vまでの過電圧保護
- 統合TVS: IEC61000-4-5向け±110v
- 内部低RDS(ON) NMOSトランジスタ: 標準15mΩ
- プログラマブル過電圧ロックアウト(OVLO)
- OVLOピンによる外部調整
- デバイス用のアクティブ低イネーブルピン (OVLO)
- 超高速OVLO応答時間: 標準40ns
- 温度過昇保護(熱シャットダウン)
- 堅牢なESD性能
- ±4kV人体モデル(HBM)
- ±2kV充電デバイスモデル(CDM)
- システムレベルのESD (IEC61000-4-2)
- ±10kV接触放電
- ±15kV空中放電
アプリケーション
- 携帯電話
- PDA
- GPS
アプリケーション図
ブロック図
公開: 2019-11-07
| 更新済み: 2024-02-02

