onsemi NIV1xESDサプレッサ/TVSダイオード

Onsemi NIV1x ESDサプレッサ/TVSダイオードは、高速データラインをESDや車載バッテリへのショートから保護するように設計されています。これらのダイオードは、超低容量と低ESDクランピング電圧を特長としています。NIV1xダイオードは、電圧に敏感な高速データラインを保護するための理想的な解決策です。低RDS(on) FETは、信号ライン上の歪みを制限します。これらのonsemiダイオードには、バッテリ短絡防止およびUSB VBUS ショートブロッキング用の統合MOSFETが含まれています。NIV1xのESDサプレッサは、-55°C〜150°Cの温度範囲で動作し、ドレインとソースの電圧が30V、ゲートとソースの電圧が±10Vです。これらのダイオードは、自動車用高速信号ペア、USB 2.0、および低電圧差動信号(LVDS)に最適です。

特徴

  • 低静電容量
  • 集積MOSFET:
    • バッテリ短絡阻止
    • USB VBUS への短絡阻止
  • AOI(自動光学検査)の最適なためのウェタブルフランク
  • 認定済でPPAPに対応
  • 鉛フリー、ハロゲンフリー/FRBフリー、およびRoHS準拠
  • 固有なサイトと制御変更要件を必要とする自動車およびその他のアプリケーションに対するNIVプレフィックス

仕様

  • NIV1161x
    • 静電容量 0.65pF
    • 16V逆方向作動電圧
    • 逆リーク電流:1μA
  • NIV1241
    • 静電容量 0.66pF
    • 23.5V逆方向作動電圧
    • 逆リーク電流:0.5μA
  • 動作および保存温度範囲:-55°C〜+150°C
  • 30Vドレイン-ソース間電圧
  • ±10Vゲート-ソース電圧

アプリケーション

  • 車載用高速信号ペア
  • USB 2.0
  • LVDS

ロケーション回路

ロケーション回路 - onsemi NIV1xESDサプレッサ/TVSダイオード
公開: 2020-12-02 | 更新済み: 2024-05-31