onsemi NVTFS6H860NLシングルNチャンネルパワーMOSFET

onsemi NVTFS6H860NLシングルNチャンネルパワーMOSFETは、コンパクトで効率的な設計になっており、高い熱性能が備わっています。このMOSFETは、導通損失を最小限に抑える低ドレイン-ソース間抵抗RDS (on)、ドライバ損失を最小限に抑える低静電容量が特徴です。NVTFS6H860NL MOSFETは、AEC-Q101認定済でPPAPに対応しています。このonsemi MOSFETは、3.3mm x 3.3mmパッケージに収められています。代表的なアプリケーションには、逆バッテリ保護、パワースイッチ(高圧側ドライバ、低圧側ドライバ、Hブリッジ)、スイッチング電源があります。

特徴

  • 導通損失を最小限に抑える低 RDS (on)
    • 20mΩマット10V (最大)
    • 4.5Vで26mΩ (最大)
  • 80Vドレイン-ソース電圧(V(BR) DSS)
  • 30A最大ドレイン電流(ID)
  • ドライバ損失を最小限に抑える低静電容量
  • AEC-Q101認定およびPPAP対応
  • 寸法3.3mm x 3.3mm

アプリケーション

  • ソレノイドドライバの逆バッテリ保護
  • モーター制御用の電力スイッチ(高圧側ドライバ、低圧側ドライバ、Hブリッジ)
  • スイッチング電源
公開: 2020-09-18 | 更新済み: 2024-06-12