onsemi NVTFS6H860NLシングルNチャンネルパワーMOSFET
onsemi NVTFS6H860NLシングルNチャンネルパワーMOSFETは、コンパクトで効率的な設計になっており、高い熱性能が備わっています。このMOSFETは、導通損失を最小限に抑える低ドレイン-ソース間抵抗RDS (on)、ドライバ損失を最小限に抑える低静電容量が特徴です。NVTFS6H860NL MOSFETは、AEC-Q101認定済でPPAPに対応しています。このonsemi MOSFETは、3.3mm x 3.3mmパッケージに収められています。代表的なアプリケーションには、逆バッテリ保護、パワースイッチ(高圧側ドライバ、低圧側ドライバ、Hブリッジ)、スイッチング電源があります。特徴
- 導通損失を最小限に抑える低 RDS (on)
- 20mΩマット10V (最大)
- 4.5Vで26mΩ (最大)
- 80Vドレイン-ソース電圧(V(BR) DSS)
- 30A最大ドレイン電流(ID)
- ドライバ損失を最小限に抑える低静電容量
- AEC-Q101認定およびPPAP対応
- 寸法3.3mm x 3.3mm
アプリケーション
- ソレノイドドライバの逆バッテリ保護
- モーター制御用の電力スイッチ(高圧側ドライバ、低圧側ドライバ、Hブリッジ)
- スイッチング電源
その他の資料
公開: 2020-09-18
| 更新済み: 2024-06-12
