onsemi SuperFET® III MOSFET
onsemi SuperFET® III MOSFETは、高電圧（TJ= 150ºCで700V）スーパージャンクション（SJ）MOSFETで、充電バランス技術を用いています。この技術によって、非常に低いオン抵抗（標準59mΩまたは62mΩ RDS(on)）およびより低いゲート充電性能（標準78nC Qg）が実現しています。SuperFET III MOSFETは、導通損失を最小限に抑え、優れたスイッチング性能を提供し、ドレイン-ソース電圧の極端な上昇率に耐えるように設計されています。dv/dt Fairchild SuperFET IIIは、小型化と高効率化を目的としたさまざまな電源システムに最適です。
特徴
- 700V at TJ = +150°C電圧
- 低オン抵抗
- 低いドレイン・ソース間電圧ピーク
- 低ゲート電荷
- 低実効出力容量
- 100%アバランシェテスト済み
- 接頭辞NVは、AEC-q100認定済みで、特殊サイトや制御変更を要する車載などのアプリケーション向けPPAPが可能なデバイスであることを示す
- パッケージオプション：D2PAK-3, DPAK-3, Power-88-4, TO-220-3, TO-247-3, TO-252-3, TO-263-3
- RoHS適合
アプリケーション
- テレコム/サーバー用電源
- 産業用電源
- EV充電
- 無停電電源装置/ソーラー
ビデオ
ハードスイッチングアプリケーション概要
性能グラフ
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公開: 2016-03-29
| 更新済み: 2025-03-04