onsemi 40V パワーMOSFET
オンセミ (onsemi) 40VパワーMOSFET は標準のゲートレベル技術を特徴とし、クラス最高のオン抵抗を誇ります。オンセミ (onsemi) MOSFETは、モータドライバアプリケーション用に設計されています。このデバイスは、より低いオン抵抗とゲート電荷の低減によって、導通損失と駆動損失を効果的に最小限に抑えます。さらに、MOSFETは、ボディダイオード逆回復のための優れたソフト性制御を実現しており、アプリケーションに追加のスナバ回路を必要とせずに電圧スパイク応力を効果的に軽減します。
特徴
- 低RDS(on) により、導通損失を最小化
- 低Qrr とソフトリカバリ特性により、ERR損失と電圧スパイクを最小化
- 低Qg とキャパシタンスによって、ドライバ損失とスイッチング損失を最小化
- 無鉛、ハロゲンフリー/BFRフリー、RoHS準拠
アプリケーション
- 高スイッチング周波数DC/DC変換
- 同期整流
ブロック図
関連ソリューション
onsemi ロボット工学/AMRソリューション
自動運転車両と同様の機能を備え、サブシステムからなる複雑な設計となっています。
onsemi PowerTrench技術
特にT6 ～ T10に至るまで、PowerTrench技術の 進歩を表しています。
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| 部品番号 | データシート | Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 | Id - 連続ドレイン電流 | Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース |
|---|---|---|---|---|
| NTMFS0D4N04XMT1G |  |
40 V | 509 A | 420 uOhms |
| NTMFS0D5N04XLT1G | |
40 V | 455 A | 490 uOhms |
| NTMFS0D6N04XMT1G | |
40 V | 380 A | 570 uOhms |
| NTMFS0D9N04XLT1G | |
40 V | 278 A | 900 uOhms |
| NTMFS1D1N04XMT1G | |
40 V | 233 A | 1.05 mOhms |
| NTMFS1D3N04XMT1G | |
40 V | 195 A | 1.3 mOhms |
| NTMFS2D3N04XMT1G | |
40 V | 111 A | 2.35 mOhms |
| NTMFS2D5N08XT1G | |
80 V | 181 A | 2.1 mOhms |
| NTMFS3D5N08XT1G | |
80 V | 135 A | 3 mOhms |
| NTMFS0D5N04XMT1G | |
40 V | 414 A | 520 uOhms |
公開: 2024-01-16
| 更新済み: 2025-09-30