onsemi FDMS4D5N08LC 80VシングルNチャンネルパワーMOSFET
onsemi FDMS4D5N08LC 80VシングルNチャンネルパワーMOSFETは、シールドゲートテクノロジーが組み込まれている高度PowerTrench®プロセスが採用されている製品です。このプロセッサは、ON状態抵抗を最小限に抑えるように最適化されていますが、依然としてベストインクラスのソフトボディダイオードが備わった優れたスイッチング性能を維持しています。
FDMS4D5N08LC MOSFETは、パワークワッドフラットノーリード (PQFN) パッケージでご用意があり、無鉛、ハロゲンフリー、RoHSに準拠しています。
特徴
- シールドゲートMOSFET技術
- 最大RDS(on) = 4.2mΩ @ VGS = 10V、ID = 37A
- 最大RDS(on) = 6.1mΩ @ VGS = 4.5V、ID = 29A
- ドレイン-ソース電圧（VDS ）: 80V @連続TC = 25°C
- ドレイン電流 (ID): 116A
- 低逆回復充電 (Qrr): 標準38nC
- さらなる低スイッチングノイズ/EMI
- MSL1の堅牢なパッケージ設計
- ロジックレベルの駆動対応
- 100% UIL試験済
- 動作およびストレージ接合部温度範囲: -55°C～+150°C
- パッケージの種類: PQFN-8
- パッケージの寸法: 5mm x 6mm
- 無鉛、ハロゲンフリー、RoHS準拠
アプリケーション
- 一次DC-DC MOSFET
- DC-DCおよびAC-DCでの同期整流器
- モーター駆動
- ソーラー
内部回路図
パッケージの外形
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公開: 2019-08-15
| 更新済み: 2024-02-21