onsemi Jシリーズ・シリコン光電子増倍管(SiPM)センサ
onsemi Jシリーズ・シリコン光電子増倍管(SiPM)センサは、ToF-PET(飛行時間型陽電子放出断層撮影法)といった高性能タイミング・アプリケーション向けに最適化されました。マイクロセル密度の増大によってJシリーズ・センサは、50%の光子検出効率(PDE)を達成でき、感度がUVにまで及んでいます。これらのセンサは、50kHz/mm2業界を代表する低暗数レートが特徴です。また、大容量CMOSシリコン・プロセスを使用してセンサが作成されているため、±250mVという比類のない破壊電圧均一性が特徴です。Jシリーズセンサは、3mm、4mm、6mmサイズでご用意があり、業界標準リードフリー・リフローはんだ付けプロセスとの互換性があるTSVチップ・スケール・パッケージに収められています。また、Jシリーズ・センサは、高速タイミング機能のためのonsemi独自の高速出力も特徴です。特徴
- 高密度マイクロセル
- Jシリーズセンサは、onsemi独自の高速出力端子が特徴
- 21.5mV/°Cの温度安定性
- ±250mVの比類のない破壊電圧均一性
- TSVチップスケール・パッケージとの互換性があるリフローはんだでご用意あり
- 50kHz/mm2(typ.)の超低暗数レート
- ToF-PETといった高性能タイミング・アプリケーション用に最適化されました。
- 3mm、4mm、6mmセンサ・サイズ
- <30Vのバイアス電圧
- 50%光子検出効率 (PDE) @ 420nmをもたらす
- 改善された信号の立ち上がり時間およびマイクロセル回復時間
- アクティブ電圧制御の必要性を排除
- 業界を代表する均一性
- TSVパッケージによって、デッドスペースがほとんどゼロになり、高充填率のアレイび作成、および鉄金属を含まないことが実現
アプリケーション
- 医療用画像処理
- 危険と脅威
- 3D範囲とセンシング
- バイオフォトニクスと科学
- 高エネルギー物理
公開: 2018-11-16
| 更新済み: 2023-01-27
