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onsemi NVT201xN0 M2 SiC Nチャネル MOSFET

onsemi NVT201xN0 M2 SiC Nチャネル MOSFETは、既存のSi技術に比べてより高電圧の動作、幅広い温度範囲、スイッチング周波数の向上を実現します。これらのMOSFETは、低実効出力容量および超低ゲート電荷によって、より低いスイッチング損失とより高いスイッチング速度能力を実現します。NVT201xN0 M2 SiC Nチャンネル MOSFETは、100% UIS試験済みで、AEC-Q101認定を取得しています。

特徴

  • 低実効出力容量
  • 超低ゲート電荷
  • 100% UIS試験済
  • AEC-Q101に準じた認定を取得済
  • ハロゲンフリー、およびRoHS指令の適用除外項目7aに適合、鉛フリー2LI（二次接続部）

アプリケーション

  • 自動車用オン/オフボードチャージャ
  • EV-HEV自動車用DC-DCコンバータ
  • SMPS、ソーラーインバータ、UPS、エネルギーストレージ、EV充電インフラストラクチャ

仕様

  • ドレイン・ソース間オン抵抗（RDSDS（on））
    • NVT2012N065M2：標準18mΩ（VGS = 18V時）
    • NVT2016N090M2：標準23mΩ（VGS = 18V時）
  • ドレイン・ソース間電圧（VDSS）
    • NVT2012N065M2: 650V
    • NVT2016N090M2: 900V
  • 連続ドレイン電流（ID）（ケース温度TC = +25°C時）
    • NVT2012N065M2: 180A
    • NVT2016N090M2: 148A
  • 電力損失（PD）（ケース温度TC = 25°C時）
    • NVT2012N065M2: 375W
    • NVT2016N090M2: 789W
  • パルスドレイン電流（IDM）（ケース温度TC = +25°C、パルス幅tp = 100µs）
    • NVT2012N065M2: 482A
    • NVT2016N090M2: 424A
  • 入力容量（CISS）
    • NVT2012N065M2：5389 pF（VDS = 325V、VGS = 0V、周波数f = 1MHz）
    • NVT2016N090M2：5340pF（VDS = 450V、VGS = 0 V、周波数f = 1MHz）
  • 出力容量（COSS）
    • NVT2012N065M2：431pF（VDS = 325V、VGS = 0V、周波数f = 1MHz）
    • NVT2016N090M2：310pF（VDS = 450V、VGS = 0 V、周波数f = 1MHz）
  • 総ゲート充電（QG（TOT））
    • NVT2012N065M2：256nC（VDS = 400V、ID = 40A、VGS = -5V / +18V）
    • NVT2016N090M2：250nC（VDS = 425V、ID = 60A、VGS = -5 V/+18V）

その他の資料

回路図およびマーキング図

回路図 - onsemi NVT201xN0 M2 SiC Nチャネル MOSFET
公開: 2025-11-12 | 更新済み: 2026-04-21