onsemi M3S 1200Vシリコンカーバイド（SiC）MOSFET
onsemi M3S 1200Vシリコンカーバイド（SiC）MOSFETは、高速スイッチングアプリケーション用に最適化されています。プレーナテクノロジーは、負ゲート電圧ドライブによって確実に作動し、ゲートのスパイクをオフにします。onsemi M3S 1200V MOSFETは、18Vゲートドライブでの駆動時に最適な性能を実現しますが、15Vゲートドライブでも良好に作動します。M3Sはスイッチング損失が低く、低コモン・ソース・インダクタンスを目的としたTO247-4LDパッケージに格納されています。
特徴
- 低コモン・ソース・インダクタンスを目的としたTO247-4LDパッケージ
- 15V～18Vゲートドライブ
- EONおよびEOFF損失が低い22mohm RDS(ON)のM3Sテクノロジー
- 100%アバランシェ試験を実施済
- EON損失の低減
- 最善の性能のための18V、IGBTドライバ回路との互換性を目的とした15V
- 電力密度の向上
- 予期しない受信電圧スパイクまたはリンギングに対する堅牢性を向上
アプリケーション
- AC/DC変換
- DC/AC変換
- DC/DC変換
- UPS
- 電気自動車の充電システム
- ソーラーインバータ
- エネルギー貯蔵システム
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内部回路図
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| 部品番号 | データシート | Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 | Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース | Id - 連続ドレイン電流 | パッケージ/ケース |
|---|---|---|---|---|---|
| NTH4L022N120M3S |  |
1.2 kV | 30 mOhms | 68 A | TO-247-4 |
| NVH4L022N120M3S | |
1.2 kV | 30 mOhms | 68 A | TO-247-4 |
公開: 2021-09-27
| 更新済み: 2025-01-20