onsemi MC74VHC1GT125 3ステート・バッファ

Onsemi MC74VHC1GT125 3ステート・バッファは、非常に小さなフットプリントのパッケージに収められた非反転デバイスで、2V ~ 5.5V V_CC 動作用に設計されています。これらの3ステート・バッファには、TTLレベルの入力閾値が備わっています。内部回路は、高ノイズ耐性と安定した出力を実現しているバッファ済3ステート出力をはじめとする3つの段で構成されています。MC74VHC1GT125バッファは、入力/出力が特徴で、最大5.5Vの過電圧公差が備わっています。これらのバッファは、SC-88A、SC-74A、SOT-953、UDFN6パッケージでご用意があります。MC74VHC1GT125は、鉛フリー、ハロゲンフリー/BFRフリーで、RoHSに準拠しています。

特徴

V_{CC 2.0} V〜5.5V動作用の設計
t_PD ：3.5ns、5V時（標準）
入力/出力過電圧許容差：最大5.5V
I_OFF は、パーシャルパワーダウン保護をサポート
3.0Vでソース/シンク8mA
SC-88A、SC-74A、SOT-953、UDFN6パッケージでご用意あり
低電力消散：I_CC= 1µA（最大）、T_A = 25°C時

チップの複雑性<100 FET
TTL互換入力：_VIL = 0.8V、V_IH = 2.0V
固有のサイトと制御変更要件を必要とする車載用およびその他のアプリケーションを対象とした-Qサフィックス
AEC-Q100認定およびPPAP対応
これらのデバイスは、鉛フリー、ハロゲンフリー/BFRフリー、RoHS準拠

論理記号

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部品番号	論理ファミリ	動作供給電流	Pd - 電力損失	伝搬遅延時間
MC74VHC1GT125DBVT1G-Q		50 mA	390 mW	3.5 ns
MC74VHC1GT125MU1TCG-Q	VHC		812 mW	11.5 ns
MC74VHC1GT125DFT2G-Q	TTL	50 mA	332 mW	6.4 ns
MC74VHC1GT125DFT1G	VHC	50 mA	332 mW	3.5 ns
MC74VHC1GT125DFT2G	VHC	50 mA	332 mW	3.5 ns
MC74VHC1GT125DFT1G-Q	TTL	50 mA	332 mW	6.4 ns
MC74VHC1GT125DBVT1G	VHC	1 uA	225 mW	11.5 ns, 7.5 ns
MC74VHC1GT125MU1TCG	VHC	1 uA	223 mW	4.5 ns
MC74VHC1GT125MU2TCG	VHC	1 uA	223 mW	4.5 ns
MC74VHC1GT125MU3TCG	VHC	1 uA	223 mW	4.5 ns

公開: 2024-09-30 | 更新済み: 2024-10-28