onsemi MC74VHCT125Aバッファ

Onsemi MC74VHCT125Aバッファは、高速CMOSクワッドバスバッファで、シリコンゲートCMOS技術を用いて製造されています。これらのデバイスは、標準伝播遅延時間(tPD)3.8ns at VCC = 5Vを維持したまま、同等のバイポーラ・ショットキーTTLと同じ高速動作を実現します。MC74VHCT125Aバッファは、高に設定すると出力を高インピーダンス状態にする3ステート制御入力(OE)が特徴で、バスアプリケーションに有用です。これらのバッファには、良好なノイズ耐性が備わっており、2V~ 5.5Vの動作電圧範囲で動作します。MC74VHCT125Aバッファは、無鉛でRoHSに準拠しています。これらのデバイスは、汎用ロジック、バッファリング、シグナルコンディショニング、パワーダウン保護、車載、工業アプリケーションに適しています。

特徴

  • tPD = 3.8ns(標準)@ VCC = 5V高速
  • ICC = 4A(最大)@ TA = 25°C低電力損失
  • VNIH = VNIL = 28% VCC 高ノイズ耐性
  • パワーダウン保護は入力で実現
  • バランスのとれた伝播遅延
  • 2V~5.5V動作範囲向けに設計
  • 低ノイズVOLP = 0.8V(最大)
  • 他の標準ロジックファミリとの互換性があるピンと機能
  • 100mAを超過するラッチアップ性能
  • ESD性能人体モデル>2,000V
  • チップの複雑性72 FETまたは18等価ゲート
  • 固有のサイトと制御変更要件を必要とする車載用およびその他のアプリケーションを対象としたQサフィックス
  • AEC-Q100認定およびPPAP対応
  • 無鉛、RoHS準拠

アプリケーション

  • 汎用ロジック
  • バッファリング
  • シグナルコンディショニング
  • パワーダウン保護
  • 自動車
  • 産業/電力

機能表付きロジック図

View Results ( 3 ) Page
部品番号 データシート 論理ファミリ 出力タイプ 伝搬遅延時間 零入力電流 供給電圧 - 最小 Pd - 電力損失
MC74VHCT125ADTR2G-Q MC74VHCT125ADTR2G-Q データシート 74VHC CMOS 3.8 ns 40 uA 2 V 833 mW
MC74VHCT125ADTR2G MC74VHCT125ADTR2G データシート VHCT 3-State 11.5 ns 2 uA 2 V 833 mW
MC74VHCT125ADR2G MC74VHCT125ADR2G データシート VHCT 3-State 11.5 ns 2 uA 4.5 V 500 mW (1/2 W)
公開: 2025-06-25 | 更新済み: 2025-07-15