onsemi NCV51561絶縁型デュアルチャンネル・ゲートドライバ

onsemi NCV51561絶縁型デュアルチャネルゲートドライバは、短い整合伝搬遅延での4.5Aソースおよび9Aシンクピーク電流が特徴です。NCV51561は、パワーMOSFET、およびSiC MOSFETパワースイッチを駆動するための高速スイッチング用を意図しています。

onsemi NCV51561絶縁デュアルチャンネルゲートドライバには、5kVRMS 2つのガルバニック絶縁型ゲートドライバ・チャンネルによって提供される最大1500VDCの作動電圧があります。これらのチャンネにより、2つの低圧側、2つの高圧側スイッチ、またはプログラマブルデッドタイムが備わったハーフブリッジドライバなど多くの構成が可能になります。

NCV51561は、ゲートドライバとデッドタイム調整機能の両方を対象に、独立した低電圧誤動作防止機能といったその他の重要な保護機能を実現しています。

特徴

4.5Aのピークソース、9Aのピークシンク出力電流能力
柔軟性に富んだデュアル下側、デュアル上側、またはハーフブリッジゲートドライバ
両方の出力ドライバの独立したUVLO保護
6.5V～30Vの出力電源電圧（MOSFET向けには5Vおよび8V、SiC向けには13Vおよび17VのUVLO、しきい値）
コモンモード過渡耐性 CMTI > 200V/ns
伝搬遅延：36ns（標準）
- 1チャンネルあたり5nsの最大遅延マッチング
- 5ns（最大）のパルス幅歪み

ユーザーによるプログラムが可能な入力ロジック
ANBを介したシングルまたはデュアル入力モード
ENABLEまたはDISABLEモード
ユーザーがプログラミングできるデッドタイム
車載アプリケーション条件でAEC-Q100認定
絶縁と安全性
- 5kV_RMS 絶縁/1分間（UL1577要件に準拠）および出力チャネル間の1500Vピーク差動電圧
- 8000VPK強化絶縁電圧（VDE0884-11要件に準拠）
- GB4943.1-2011に沿ったCQC認証
- IEC 62386−1に準じたSGS FIMO認証
無鉛デバイス