onsemi NTBG022N120M3S 1200V M3SシリーズSiC MOSFET
Onsemi NTBG022N120M3S 1,200V M3SシリーズSiC（炭化ケイ素）MOSFETは、高速スイッチング・アプリケーション向けに最適化されており、22mΩ とドレイン・ソース間オン抵抗が低くなっています。M3SシリーズSiC MOSFETは、18Vゲートドライブで駆動する場合に最適な性能を実現していますが、15Vゲートドライブでも良好に作動します。このデバイスはプレーナ技術が特徴で、負のゲート電圧駆動で信頼性の高い作動を行い、ゲートのスパイクをオフにします。
Onsemi NTBG022N120M3S 1200V M3SシリーズSiC MOSFETは、低コモンソースインダクタンスを目的としたD2PAK-7Lパッケージに格納されています。
特徴
- 高速スイッチングアプリケーション用に最適化
- スイッチング損失が低い
- 40A、800Vで485µJ（標準）ターンオン・スイッチング損失
- 最善の性能のための18V、IGBTドライバ回路との互換性を目的とした15V
- 100%アバランシェ試験済み
- 電力密度の向上
- 予期しない受信電圧スパイクまたはリンギングに対する堅牢性を向上
アプリケーション
- AC/DC変換
- DC/AC変換
- DC/DC変換
- スイッチモード電源（SMPS）
- UPS
- 電気自動車の充電システム
- ソーラーインバータ
- エネルギーストレージシステム
仕様
- ドレイン－ソース電圧（VDSS）：1,200V
- ドレイン－ソース間オン抵抗（RDS (on)）：22mΩ
- ゲート－ソース間電圧（VGS）：-10V/+22V
- ドレイン－ソース間破壊電圧温度係数（V(BR) DSS/TJ）：0.3V/°C
- ゼロゲート電圧ドレイン電流（IDSS）：100µA
- ゲート－ソース間リーク電流（IGSS）：±1µA
- 連続ドレイン電流（ID）
- 58A（TC = 25°C時）
- 41A（TC = 100°C時）
- 電力損失（PD）
- 234W @ TC = 25°C
- 117W @ TC = 100°C
- ゲート閾値電圧：2.04V ~ 4.4V、標準2.72V（VGS (TH)）
- 入力容量：3,200pF（CISS）
- 出力容量：148pF（COSS）
- 逆伝達容量：14pF（CRSS）
- ターンオン遅延時間：18ns（td (ON)）
- 上昇時間：24ns（tr）
- ターンオフ遅延時間：47ns（td (OFF)）
- 下降時間：14ns（tf）
- 逆回復時間：23ns（tRR）
- 動作接合部およびストレージ温度範囲：-55°C～+175°C（TJ 、Tstg）
- D2PAK7（TO-263-7L HV）パッケージ
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内部回路図
パッケージ外形
EliteSiCについて
公開: 2022-08-24
| 更新済み: 2024-06-19