onsemi NTH4L060N065SC1シリコンカーバイド(SiC)MOSFET

Onsemi NTH4L060N065SC1 シリコンカーバイド(SiC)MOSFETは、優れたスイッチング性能と高い信頼性を提供します。このMOSFETは 、オン抵抗が低く、チップサイズがコンパクトなため、静電容量とゲート電荷が低く抑えられています。その結果、最高の効率性、高速動作周波数、電力密度の向上、EMIの低減、システムサイズの削減といったメリットがあります。

特徴

  • 標準RDS(on) = 44m @ VGS = 18V
  • 標準RDS(on) = 60m @ VGS = 15V
  • 超低ゲート電荷(QG(tot) = 74nC)
  • 低容量(Coss = 133pF)
  • 100%アバランシェ試験済
  • TJ=175°C
  • このデバイスは無鉛でRoHSに準拠

アプリケーション

  • SMPS(スイッチングモード電源)
  • ソーラーインバータ
  • UPS(無停電電源装置)
  • エネルギー貯蔵
公開: 2022-05-09 | 更新済み: 2024-06-19