onsemi NTK3134N シングルNチャンネルパワーMOSFET
onsemi NTK3134N シングルNチャンネルパワーMOSFETは、ESD保護を搭載しており、高効率なスイッチングアプリケーション向けに最適化された堅牢なMOSFETです。コンパクトな3リード SOT-723パッケージに格納されている onsemi NTK3134N コンポーネントは、4.5Vで0.20Ωの低RDS (オン) を発揮し、導通損失を最小限に抑えて熱性能を向上させます。NTK3134N MOSFETは、 20V のドレイン-ソース定格電圧、および(最大)定常連続ドレイン電流能力 連続ドレイン電流連続ドレイン電流 890mA を備え、ポータブル電子機器、DC-DCコンバータ、負荷スイッチ回路での使用に最適です。これらのMOSFETは、高速スイッチング速度と低ゲート電荷により、消費電力の低減や全体的なシステム効率の向上に貢献し、スペースに制約があり電力に敏感な設計に信頼性の高い選択肢です。特徴
- 低RDS (オン) を備えたNチャンネルスイッチ
- SC89比、フットプリントを44%を縮小し、38%薄型化
- 1.5V RDS (オン) 定格を実現する低閾値レベル
- 低ロジックレベルのゲートドライブで動作
- 3リードSOT-723ケース 631AA、スタイル5パッケージ
- リードフリー、ハロゲンフリー/ BFRフリー、RoHS準拠
アプリケーション
- 超小型ポータブル電子機器用バッテリ管理
- 負荷/ 電力スイッチング
- インターフェイス・スイッチング
- 論理レベル・シフト
仕様
- オフ特性
- 最小ドレイン-ソース間絶縁破壊電圧:20V
- 標準ドレイン-ソース間破壊電圧温度係数:18mV/°C
- ゼロゲート電圧ドレイン電流
- 最大-1,0µA(+25°Cの場合)
- -2,0µAで標準+125°C
- ±4.5VGS での最大ゲート-ソース間リーク電流:±0.5µA
- On特性
- ゲート閾値電圧範囲:0.45V ~ 1.2V
- 標準負閾値温度係数:2.4mV/°C
- (最大)ドレイン-ソースオン抵抗範囲:0.35Ω ~ 1.2Ω
- 標準順方向トランスコンダクタンス: 1.6S
- Capacitances
- 標準入力容量:79pF
- 標準出力容量:13pF
- 逆転送静電容量:標準9,0pF
- スイッチング特性
- 標準ターンオン遅延時間:6.7ns
- 4.8ns 標準立ち上がり時間
- 標準ターンオフ遅延時間:17.3ns
- 7.4ns 標準立ち下がり時間
- ドレインソースダイオードの特性
- 標準ダイオード順電圧:0.75V
- 標準的な逆回復時間 8.1ns
- 標準充電時間:6.4ns
- 標準放電時間:1.7ns
- 標準逆回復充電:3.0nC
- 0.2Ω (@ 4.5V) ~ 0.56Ω (@ 1.5V) 標準RDS (オン) 範囲
- 最大ゲート-ソース間電圧:±8V
- 最大定常連続ドレイン電流範囲:640mA ~ 890mA
- 最大定常電力損失:450mW
- 最大パルスドレイン電流:1.8A
- 最大熱抵抗
- 接合部-周囲定常:280°C/W
- 接合部-周囲:228°C/W
- 接合部-リード定常最小パッド:400°C/W
- 温度
- 接合部動作温度範囲:-55°C ~ +150°C
- 最大リードハンダ付け温度:+260°C
回路図
公開: 2025-08-29
| 更新済み: 2025-09-08
