onsemi NTK3134N シングルNチャンネルパワーMOSFET

onsemi NTK3134N シングルNチャンネルパワーMOSFETは、ESD保護を搭載しており、高効率なスイッチングアプリケーション向けに最適化された堅牢なMOSFETです。コンパクトな3リード SOT-723パッケージに格納されている onsemi NTK3134N コンポーネントは、4.5Vで0.20Ωの低RDS (オン) を発揮し、導通損失を最小限に抑えて熱性能を向上させます。NTK3134N MOSFETは、 20V のドレイン-ソース定格電圧、および(最大)定常連続ドレイン電流能力 連続ドレイン電流連続ドレイン電流 890mA を備え、ポータブル電子機器、DC-DCコンバータ、負荷スイッチ回路での使用に最適です。これらのMOSFETは、高速スイッチング速度と低ゲート電荷により、消費電力の低減や全体的なシステム効率の向上に貢献し、スペースに制約があり電力に敏感な設計に信頼性の高い選択肢です。

特徴

  • 低RDS (オン) を備えたNチャンネルスイッチ
  • SC89比、フットプリントを44%を縮小し、38%薄型化
  • 1.5V RDS (オン) 定格を実現する低閾値レベル
  • 低ロジックレベルのゲートドライブで動作
  • 3リードSOT-723ケース 631AA、スタイル5パッケージ
  • リードフリー、ハロゲンフリー/ BFRフリー、RoHS準拠

アプリケーション

  • 超小型ポータブル電子機器用バッテリ管理
  • 負荷/ 電力スイッチング
  • インターフェイス・スイッチング
  • 論理レベル・シフト

仕様

  • オフ特性
    • 最小ドレイン-ソース間絶縁破壊電圧:20V
    • 標準ドレイン-ソース間破壊電圧温度係数:18mV/°C
    • ゼロゲート電圧ドレイン電流
      • 最大-1,0µA(+25°Cの場合)
      • -2,0µAで標準+125°C
    • ±4.5VGS での最大ゲート-ソース間リーク電流:±0.5µA
  • On特性
    • ゲート閾値電圧範囲:0.45V ~ 1.2V
    • 標準負閾値温度係数:2.4mV/°C
    • (最大)ドレイン-ソースオン抵抗範囲:0.35Ω ~ 1.2Ω
    • 標準順方向トランスコンダクタンス: 1.6S
  • Capacitances
    • 標準入力容量:79pF
    • 標準出力容量:13pF
    • 逆転送静電容量:標準9,0pF
  • スイッチング特性
    • 標準ターンオン遅延時間:6.7ns
    • 4.8ns 標準立ち上がり時間
    • 標準ターンオフ遅延時間:17.3ns
    • 7.4ns 標準立ち下がり時間
  • ドレインソースダイオードの特性
    • 標準ダイオード順電圧:0.75V
    • 標準的な逆回復時間 8.1ns
    • 標準充電時間:6.4ns
    • 標準放電時間:1.7ns
    • 標準逆回復充電:3.0nC
  • 0.2Ω (@ 4.5V) ~ 0.56Ω (@ 1.5V) 標準RDS (オン) 範囲
  • 最大ゲート-ソース間電圧:±8V
  • 最大定常連続ドレイン電流範囲:640mA ~ 890mA
  • 最大定常電力損失:450mW
  • 最大パルスドレイン電流:1.8A
  • 最大熱抵抗
    • 接合部-周囲定常:280°C/W
    • 接合部-周囲:228°C/W
    • 接合部-リード定常最小パッド:400°C/W
  • 温度
    • 接合部動作温度範囲:-55°C ~ +150°C
    • 最大リードハンダ付け温度:+260°C

回路図

回路図 - onsemi NTK3134N シングルNチャンネルパワーMOSFET
公開: 2025-08-29 | 更新済み: 2025-09-08