onsemi NTK3139P PチャネルシングルパワーMOSFET
onsemi NTK3139P PチャネルシングルパワーMOSFETは、ESD保護機能を内蔵したコンパクトなSOT-723パッケージで提供されています。SOT-723パッケージは、SC-89パッケージと比較してフットプリントが44%小さく、厚さが38%薄くなっています。ドレイン・ソース間電圧（VDSS）は-20V、連続ドレイン電流（ID）定格は-780mA（TA = +25°C）です。onsemi NTK3139Pは、低しきい値レベルを特徴とし、1.5V RDS(on)定格（VGS = 1.5V、ID = -100mA）で0.95Ω（標準）を実現しています。このonsemiデバイス（NTK3139P）は、低ロジックレベルのゲート駆動で動作可能です。代表的な用途としては、超小型ポータブル電子機器向けの負荷/電源スイッチング、インターフェイス（ロジックスイッチング）、およびバッテリ管理などが挙げられます。
特徴
- 低RDS（on） を特長とするPチャネルスイッチ
- SC-89と比べて、フットプリントが44%小さく、38%薄くなっています
- 低しきい値電圧により、1.5VでのRDS（on）規定を実現
- 低い論理レベルのゲートドライブで動作
- 鉛フリー、ハロゲンフリー/BFRフリーで、RoHSに準拠
アプリケーション
- 負荷/電力スイッチング
- インターフェイス接続（ロジック・スイッチング）
- 超小型ポータブル電子機器向けのバッテリ管理
仕様
- ドレイン−ソース間電圧（VDSS）：-20V
- ゲート－ソース電圧（VGS）：±6V
- ドレイン電流（ID）：-780mA（TA = +25°C）, -570mA（TA = +85°C）、-870mA（t < = 5s, TA = +25°C）
- 電力損失（PD）：450mW（TA = +25°C）、550mW（t <= 5s, TA = +25°C）
- 動作ジャンクション温度／保存温度（TJ, Tstg）範囲：−55°C～＋150°C
- ドレイン電流（IDM ）（tp = 10µs）：-1.2Aパルス
- ハンダ付け用リード温度（TL）：+260°C
- ドレイン・トゥ・ソースオン抵抗（RDS（on））
- 0.38Ω（標準）（VGS = -4.5V、ID = -780mA時）
- 0.52Ω（標準）（VGS = -2.5V、ID = -660mA時）
- 0.70Ω（標準）（VGS = -1.8V、ID = -100mA時）
- 0.95Ω（標準）（VGS = -1.5V、ID = -100mA時）
回路図
公開: 2025-10-01
| 更新済み: 2025-10-14