onsemi NTMT045N065SC1シリコンカーバイド(SiC)MOSFET

Onsemi  NTMT045N065SC1 シリコンカーバイド(SiC)MOSFETは、シリコンと比較して優れたスイッチング性能と高い信頼性を提供する技術を使用しています。Onsemi MOSFETは、低オン抵抗、およびコンパクトなチップサイズが特徴で、低静電容量とゲート電荷が保証されます。このデバイスには、高効率、高速動作周波数、電力密度の増大、EMIの低減、システムサイズの削減を始めとするメリットがあります。

特徴

  • 標準RDS (on) = 33mΩ(VGS = 18V時)
  • 標準RDS (on) = 45mΩ(VGS = 15V時)
  • 超低ゲート電荷(QG (tot) = 105nC)
  • 低効率出力容量(COSS = 162pF)
  • 100%アバランチ試験済
  • TJ = 175°C
  • RoHS準拠

アプリケーション

  • SMPS(スイッチングモード電源)
  • ソーラーインバータ
  • UPS(無停電電源装置)
  • エネルギーストレージ
公開: 2022-11-14 | 更新済み: 2024-06-19