onsemi NTTFD4D0N04HL & NTTFD9D0N06HL NチャンネルMOSFET

OnsemiNTTFD4D0N04HLおよびNTTFD9D0N06HLNチャンネルMOSFETは、WQFN12パッケージのPOWERTRENCH®パワークリップ対称デュアルチャンネルMOSFETです。これらのデバイスには、2つの特殊なNチャンネルMOSFETがデュアルパッケージに搭載されています。スイッチノードは内部的に接続されており、同期降圧コンバータの簡単な配置とルーティングが可能です。制御MOSFET (Q2) および同期MOSFET (Q1) は、最適な電力効率を実現するように設計されています。Onsemi NTTFD4D0N04HLおよびNTTFD9D0N06HL NチャンネルMOSFETには、低RDS (on) 、低QG と静電容量、低伝導/ドライバ損失が備わっています。代表的なアプリケーションには、DC/DCコンバータ、汎用ポイントオブロード、単相モータドライブ、コンピューティング、通信があります。

特徴

  • 3mm x 3mm WQFN12パッケージ
  • パッケージの寄生を削減するハーフブリッジとして構成
  • 低RDS (on)
  • 導通損失を最小化
  • 低Qgと静電容量
  • ドライバ損失の最小化

アプリケーション

  • コンピューティング
  • 通信
  • 汎用POL
  • DC/DCコンバータ
  • 単相モータドライバ
  • DC/DCモジュール

仕様

  • NTTFD4D0N04HL
    • Q1 Nチャンネル:
      • 10V VGS 、10A ID で最大4.5mΩ RDS (on)
      • 4.5V VGS 、8A ID で最大7mΩ RDS (on)
    • Q2: Nチャンネル
      • 10V VGS 、10A ID で最大4.5mΩ RDS (on)
      • 4.5V VGS 、8A ID で最大7mΩ RDS (on)
  • NTTFD9D0N06HL
    • Q1 Nチャンネル:
      • 10V VGS 、10A ID で最大9mΩ RDS (on)
      • 4.5V VGS 、8A ID で最大13mΩ RDS (on)
    • Q2: Nチャンネル
      • 10V VGS 、10A ID で最大9mΩRDS (on)
      • 4.5V VGS 、8A ID で最大13mΩ RDS (on)

電気接続

ブロック図 - onsemi NTTFD4D0N04HL & NTTFD9D0N06HL NチャンネルMOSFET
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部品番号 データシート 説明
NTTFD4D0N04HLTWG NTTFD4D0N04HLTWG データシート MOSFET MOSFET, Power, 40V POWERTRENCH Power Clip Half Bridge Configuration
NTTFD9D0N06HLTWG NTTFD9D0N06HLTWG データシート MOSFET MOSFET, Power, 60V POWERTRENCH Power Clip Half Bridge Configuration
公開: 2020-08-02 | 更新済み: 2024-06-12