onsemi NVBYST0D6N08X 80V NチャンネルパワーMOSFET
onsemi NVBYST0D6N08X 80V N チャネル パワー MOSFET は、低 QRR とソフトリカバリ特性のボディダイオードを備え、TCPAK1012（TopCool）パッケージを採用しています。この MOSFET は、導通損失を最小限に抑えるRDS(on) と、ドライバ損失を低減する低 QG および低静電容量 を備えています。onsemi NVBYST0D6N08Xは、AEC-Q10AEC-Q101およびPPAP対応、鉛/BFRフリー、RoHS適合です。このMOSFETの主なアプリケーションは、DC-DCおよびAC-DCの同期整流 (SR)、絶縁型DC-DCコンバータの一次側スイッチ、モータドライバ、48V車載システムなどです。
特徴
- 低 QRR、ソフトリカバリ特性のボディダイオード
- 導通損失を最小限に抑える低 RDS(on)
- ドライバ損失を最小限に抑える低 QG および低静電容量
- AEC-Q101認定およびPPAP対応
- リードフリー、ハロゲンフリー/ BFRフリー、RoHS準拠
アプリケーション
- DC-DCおよびAC-DCの同期整流 (SR)
- 絶縁型DC-DCコンバータの一次側スイッチ
- モータドライブ
- 48V車載システム
仕様
- ドレイン・ソース間電圧 80V（最大）（VDSS）
- ゲート・ソース間電圧 20V（最大）（VGS）
- 連続ドレイン電流 767A（最大）（ID）@ TC = +25°C、542A @ TC = +100°C
- 電力損失 750W（最大）（PD）＠ +25°C
- パルスドレイン電流 2443A（最大）（IDM）＠ TC = 25°C、tp = 100µs
- 動作ジャンクション -55°C～+175°C（Tj）および保存温度範囲（T stg）
- 0.56mΩ（標準）ドレイン・ソース間オン抵抗 [RDS（on）]（V GS= 10V、ID= 80A、TJ = +25°C）
- 入力容量 16419pF（標準）（CISS）（VDS = 40V、V GS= 0V、f = 1MHz）
- 出力容量 4,654pF（標準）（COSS）（VDS =40V、V GS= 0V、f =1MHz）
- 228nC（代表値）総ゲート電荷［QG(TOT)］（VDD = 40V、ID = 80A、VGS = 10V）
回路/マーキングダイアグラム
公開: 2025-11-24
| 更新済み: 2025-12-26