onsemi NVBYST0D8N08XシングルNチャンネルパワーMOSFET

onsemi NVBYST0D8N08X シングルNチャネル・パワーMOSFEは、要求水準の厳しい電源アプリケーション、および車載用アプリケーションを念頭に置いて設計されています。onsemiの高度なMOSFET技術で構築されたNVBYST0D8N08Xは、低導通損失と堅牢なスイッチング性能を両立させ、効率と耐久性の両方が求められる設計において確実な選択肢と言えます。MOSFETは、高電圧動作向けに最適化されており、電力変換、モーター制御、ロードスイッチング回路で一般的に発生する高速スイッチングや大電流のストレスに対する耐性を備えています。

onsemi NVBYST0D8N08X MOSFETの主要な特長の1つは、低オン抵抗です。特に高負荷条件下において発熱を抑え、システム全体の効率を向上させます。加えて、強力なアバランシェ耐性および堅牢なゲート構造も備え、電気的ノイズの多い環境下において高信頼性の動作に貢献します。表面実装型の電源アプリケーション向けパッケージで提供されるNVBYST0D8N08Xは、効率的な熱管理および容易なPCB統合をサポートしており、省スペース性と信頼性の両立が重視される小型で高出力の設計に最適です。

特徴

  • 低QRR、ソフト・リカバリ・ボディ・ダイオード
  • 伝導損失を最小限に抑える低R DS(on)
  • ドライバ損失を最小限に抑える低QGと静電容量
  • パッケージ:TCPAK1012 (DFLPAK16 [TopCool] Case 762AA)
  • AEC-Q101認定およびPPAP対応
  • 鉛フリー、ハロゲンフリー/BFRフリーで、RoHSに準拠

アプリケーション

  • DC-DCコンバータおよびAC-DCにおける同期整流 (SR)
  • 絶縁型DC-DCコンバータのプライマリ・スイッチ
  • モータドライブ
  • 車載48Vシステム

仕様

  • 最大ドレイン-ソース電圧:80V
  • 最大ゲート・ソース間電圧 ±20V
  • ドレイン電流 (連続):455A~643A (Max.)
  • ドレイン・ソース間オン抵抗:0.79mΩ (Max.)
  • ゲート・ソース漏れ電流:100nA (Max.)
  • 許容損失:652W (Max.)、+25°C
  • 最大ドレイン電流(パルス)1,976A
  • ソース・ドレイン電流 (連続、ボディ・ダイオード):1097A (Max.)
  • シングル・パルス・アバランシェ・エネルギー:871mJ (Max.)
  • 動作接合部温度範囲:-55°C~+175°C
  • +260°Cの最大リードハンダ付け温度
  • 熱特性
    • 接合部-ケース間 (パッケージ上部経由) 熱抵抗:0.23°C/W
    • 接合部-周囲温度間熱抵抗:38°C/W
    • 接合部-ソース・リード間 (ピン1-7) 熱特性パラメータ:3.9°C/W
    • 接合部-ドレイン・リード (ピン9-16) 間熱特性パラメータ:3.3°C/W

回路図

回路図 - onsemi NVBYST0D8N08XシングルNチャンネルパワーMOSFET
公開: 2026-03-20 | 更新済み: 2026-04-14