onsemi NVHL025N65S3 NチャンネルSUPERFET® III

onsemi NVHL025N65S3 NチャンネルSUPERFET® IIIは、イージードライブ、高電圧スーパージャンクション(SJ)MOSFETで、充電バランステクノロジが活用されています。このSUPERFETによって、際立った低オン抵抗と低ゲート電荷性能が実現しています。NVHL025N65S3 SUPERFETは、導通損失を最小限に抑え、優れたスイッチング性能を発揮し、極限的なdv/dtレートに耐えます。このSUPERFETは、EMI問題に対処し、容易な設計実装が可能です。一般的なアプリケーションには、車載用PHEV-BEV DC/DCコンバータおよび車載用オンボード充電器(PHEV-BEV用)があります。

特徴

  • 良好なスイッチング性能
  • 極限的な電圧上昇率に対する耐性
  • EMI問題を管理
  • 簡単な設計実装が可能
  • AEC-Q101適合
  • 低効率出力キャパシタンス
  • 100%アバランシェ試験済
  • 無鉛かつRoHS準拠

アプリケーション

  • 車載用プラグイン・ハイブリッド電気自動車(PHEV)バッテリ電気自動車(BEV)DC/DCコンバータ
  • 車載用オンボード充電器(PHEV-BEV用)

仕様

  • 650Vドレイン-ソース絶縁破壊電圧(BVDSS)(最小)
  • 25mΩ静的ドレイン-ソースオン抵抗(RDS(on))@ 10V(最大)
  • 75Aドレイン電流(ID)(最大)
  • 236nC低ゲート電荷(QG)(typ)
  • 動作温度範囲: -55°C~150°C
  • TO-247-3LDパッケージ

NVHL025N65S3の性能グラフ

パフォーマンスグラフ - onsemi NVHL025N65S3 NチャンネルSUPERFET® III
公開: 2019-03-03 | 更新済み: 2024-01-19