onsemi NVHL025N65S3 NチャンネルSUPERFET® III
onsemi NVHL025N65S3 NチャンネルSUPERFET® IIIは、イージードライブ、高電圧スーパージャンクション(SJ)MOSFETで、充電バランステクノロジが活用されています。このSUPERFETによって、際立った低オン抵抗と低ゲート電荷性能が実現しています。NVHL025N65S3 SUPERFETは、導通損失を最小限に抑え、優れたスイッチング性能を発揮し、極限的なdv/dtレートに耐えます。このSUPERFETは、EMI問題に対処し、容易な設計実装が可能です。一般的なアプリケーションには、車載用PHEV-BEV DC/DCコンバータおよび車載用オンボード充電器(PHEV-BEV用)があります。特徴
- 良好なスイッチング性能
- 極限的な電圧上昇率に対する耐性
- EMI問題を管理
- 簡単な設計実装が可能
- AEC-Q101適合
- 低効率出力キャパシタンス
- 100%アバランシェ試験済
- 無鉛かつRoHS準拠
アプリケーション
- 車載用プラグイン・ハイブリッド電気自動車(PHEV)バッテリ電気自動車(BEV)DC/DCコンバータ
- 車載用オンボード充電器(PHEV-BEV用)
仕様
- 650Vドレイン-ソース絶縁破壊電圧(BVDSS)(最小)
- 25mΩ静的ドレイン-ソースオン抵抗(RDS(on))@ 10V(最大)
- 75Aドレイン電流(ID)(最大)
- 236nC低ゲート電荷(QG)(typ)
- 動作温度範囲: -55°C~150°C
- TO-247-3LDパッケージ
NVHL025N65S3の性能グラフ
公開: 2019-03-03
| 更新済み: 2024-01-19
