onsemi NVHL070N120M3S EliteSiC車載用SiC MOSFET
Onsemi NVHL070N120M3S Elite車載用シリコンカーバイド（SIC）MOSFETは、1200V M3S平面デバイスで、高速スイッチングアプリケーション用に最適化されています。プレーナ技術は、負のゲート電圧ドライブと確実に作動し、ゲート上のスパイクをオフにします。このデバイスは、18Vゲートドライブで駆動する場合に最適な性能を発揮しますが、15Vゲートドライブでも良好に作動します。
特徴
- 超低ゲート電荷
- 低容量の高速スイッチング
- パッケージ TO-247-3L
- 100%アバランシェ試験を実施済
- AEC−Q101認定およびPPAP対応
- ハロゲンフリーおよびRoHS準拠(exemption 7a、無鉛2LI（第2レベル相互接続時）
アプリケーション
- 自動車用オンボード充電器
- 車載用DC-DCコンバータ（EV/HEV用）
仕様
- オフ状態
- 最小ドレイン・ソース間絶縁破壊電圧：1200V
- 標準ドレイン－ソース間絶縁破壊電圧温度係数：0.3V/°C
- 最大ゼロゲート電圧ドレイン電流：100µA
- 最大ゲート－ソース間リーク電流：±1µA
- オン状態
- ゲート閾値電圧：2.04V ～ 4.4V
- 推奨ゲート電圧範囲：-3V ～ 18V
- 標準ドレイン－ソース間on抵抗：65mΩ ~ 136mΩ
- 順方向トランスコンダクタンス：12S
- 電荷、静電容量、ゲート抵抗
- 標準入力容量：1230pF
- 標準出力容量：57pF
- 標準逆方向伝達容量：5pF
- 標準全ゲート電荷：57nC
- 標準閾値ゲート電荷：3.2nC
- 標準ゲート・ソース間充電：9.6nC
- ゲート－ドレイン充電：17nC
- 標準ゲート抵抗：4.3Ω
- スイッチング
- 標準ターンオン遅延時間：10ns
- 標準立ち上がり時間：24ns
- 標準ターンオフ遅延時間：29ns
- 標準立ち下がり時間：9.6ns
- 標準ターンオンスイッチング損失：254µJ
- 標準ターンオフスイッチング損失：46µJ
- 標準総スイッチング損失：300µJ
- ソース・ドレイン間ダイオード
- 最大連続順方向電流：31A
- 最大パルス順方向電流：98A
- 標準ダイオード順電圧：4.7V
- 標準的な逆回復時間 14ns
- 標準逆回復電荷：57nC
- 標準逆回復エネルギー：3.1µJ
- 標準ピーク逆回復電流：8.2A
- 標準充電時間：7.7ns
- 標準放電時間：6.2ns
- 最大熱抵抗
- 接合部・ケース間：0.94°C/W
- 接合部・周囲間：40°C/W
- 動作接合部温度範囲：-55°C ～ +175°C
回路図
その他のリソース
EliteSiCについて
公開: 2023-12-19
| 更新済み: 2024-06-18