onsemi NVMFS5830NLシングルNチャネルパワーMOSFET

onsemiのNVMFS5830NLシングルNチャネルパワーMOSFETは、要求の厳しい電源管理アプリケーション向けに設計された高効率パワーMOSFETです。先進的なトレンチ技術を採用したonsemi NVMFS5830NLは、極めて低いRDS(on)性能(VGS = 10V時で2.3mΩ)を実現しており、大電流システムにおける導通損失の低減に最適です。5mm × 6mm × 1mmのフラットリードSO-8FLパッケージは、放熱性能と基板スペース効率を向上させ、低ゲート電荷と高速スイッチング特性がシステム全体の効率向上に寄与します。光学検査を容易にするウェットフラングオプションも用意されています。大電流対応能力、低スイッチング損失、コンパクトなフットプリントを兼ね備えた NVMFS5830NL は、モーター制御アプリケーションやハイサイド/ローサイドのロードスイッチへの使用に最適です。

特徴

  • コンパクト設計のための小型フットプリント5mm x 6mm
  • 伝導損失を最小限に抑える低RDS(on)
  • 低ドライバ QGおよび小型静電容量で省スペース化
  • DFN5 (SO-8FL) ケース 488AA Style1パッケージ、ウェッタブルフランク
  • AEC-Q101認定およびPPAP対応
  • リードフリー、ハロゲンフリー、RoHS準拠

アプリケーション

  • モータ制御
  • ハイサイド/ローサイド負荷 スイッチ

仕様

  • 最大ドレイン-ソース電圧:40V
  • 最大ゲート・ソース間電圧 ±20V
  • 最大パルスドレイン電流:1012A
  • 最大シングルパルスドレイン-ソースアバランシェエネルギー :361mJ
  • オフ特性
    • 最小ドレイン-ソース間破壊電圧:40V
    • 32mV/°C (標準)ドレイン-ソース破壊電圧 温度係数間
    • 1µA (@ +25°) ~ 100µA (@ +125°C) ドレイン電流 範囲最大電圧 ゲートゼロ
    • ± 100nA (最大)ゲート-ソースリーク電流間
  • On特性
    • ゲート閾値電圧範囲 : 1.4V ~ 2.4V
    • 7.2mV/°C標準負の温度係数閾値
    • 2.3mΩ (@ 10V) ~ 3.6mΩ (@ 4.5V) (@)最大ドレイン-ソースオン抵抗
    • 38Sの標準順フォワードトランスコンダクタンス電圧
  • 標準静電容量
    • 5,880pF入力
    • 750pF 出力
    • 500pF逆方向転送
  • チャージ
    • 58nC ~ 113nC (標準) ゲート充電
    • 5.5nC 標準閾値ゲート充電
    • 19.5nC (標準)ゲート-ソース充電
    • 標準32nCゲート-ドレイン充電
    • 3.6V (標準) 電圧プラトー
  • 標準スイッチング特性
    • 22nsターンオン遅延時間
    • 立ち上がり時間 32ns
    • 40nsターンオフ遅延時間
    • 27ns 下降時間
  • ドレイン-ソースのダイオード特性
    • 1.0V最大ダイオード順電圧
    • 標準的な逆回復時間 41ns
    • 19ns標準充電/放電時間
    • 33nC標準逆回復充電
  • 最大熱抵抗
    • 1.0°C/W 定常状態 接合部対取付ボード
    • 39°C/W接合部-周囲、定常状態
  • +260°Cの最大リードハンダ付け温度

回路図

回路図 - onsemi NVMFS5830NLシングルNチャネルパワーMOSFET
公開: 2025-11-04 | 更新済み: 2025-11-19