onsemi NVMFS5C612N 自動車用パワーMOSFET
Onsemi NVMFS5C612N自動車パワーMOSFETは、低いR
DS(on) 、Q
G 、およびゲート静電容量が特徴で、導通損失とスイッチング損失を最小化します。Onsemi NVMFS5C612N自動車MOSFETは、5mm×6mmフラット・リード・パッケージで、高い熱性能を実現するように設計されています。代表的なアプリケーションとしては、逆バッテリ保護、スイッチング電源、電源スイッチ、ソレノイドドライバ、モーター制御、負荷スイッチなどがあります。
特徴
- 伝導損失を最小化する低いRDS(on)
- 低いQG、 静電容量、およびスイッチング損失を最小化するゲート充電
- コンパクトな設計と5mm×6mmのフットプリント
- 強化された光学検査
- AEC-Q101認定およびPPAP対応
- RoHS準拠
- 熱性能が高い自動車設計
アプリケーション
- バッテリ逆挿入保護
- ソレノイドドライバ
- スイッチング電源
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AEC−Q101認定のMOSFETで、車載アプリケーション向けにコンパクトで効率的なソリューションを提供しています。
5mm x 6mmフラットリードおよびデュアル冷却パッケージでご用意があり、コンパクトで効率的な設計に最適です。
公開: 2020-02-26
| 更新済み: 2025-11-24